| 1. 概述 | 第1-24页 |
| ·THz电磁波的特性 | 第12-14页 |
| ·THz发射源 | 第14-17页 |
| ·THz探测器 | 第17页 |
| ·THz技术的研究情况 | 第17-22页 |
| ·THz辐射产生及探测机理研究 | 第18页 |
| ·THz时域光谱探测 | 第18-20页 |
| ·THz辐射成像研究 | 第20-21页 |
| ·THz波在生物技术和信息技术领域的应用 | 第21-22页 |
| ·研究的目的及意义 | 第22页 |
| ·研究思路和主要内容 | 第22-23页 |
| 本章小结 | 第23-24页 |
| 2. 实验方法 | 第24-33页 |
| ·THz波发射系统 | 第24-30页 |
| ·光电导体 | 第24页 |
| ·天线 | 第24-26页 |
| ·光电导偶极天线的耐压设计 | 第26-29页 |
| ·激光器 | 第29-30页 |
| ·THz波探测系统 | 第30页 |
| ·实验原理 | 第30-31页 |
| ·实验内容 | 第31-32页 |
| ·测试三种光电导偶极天线的最大偏置电压 | 第31-32页 |
| ·三种光电导天线辐射THz强度的对比实验 | 第32页 |
| 本章小结 | 第32-33页 |
| 3. 实验结果与讨论 | 第33-52页 |
| ·影响光电导天线偏置电场提高的原因 | 第33-35页 |
| ·半导体表面闪络 | 第33-34页 |
| ·光电导天线材料的击穿 | 第34-35页 |
| ·光电导天线芯片材料击穿的物理解释 | 第35-38页 |
| ·半绝缘GaAs光电导天线热击穿机理 | 第38-40页 |
| ·击穿瞬间天线材料温度的计算 | 第40-44页 |
| ·高功率光电导THz源的设计 | 第44-45页 |
| ·天线电极制作及圆角处理 | 第45页 |
| ·天线的绝缘保护 | 第45页 |
| ·实验结果 | 第45-51页 |
| ·三种光电导偶极天线(PDA)的最大偏置电压测试 | 第45-46页 |
| ·Si_3N_4钝化PDA和PDA裸片辐射THz强度的对比 | 第46-49页 |
| ·有机硅凝胶封装PDA和PDA裸片THz辐射强度的对比 | 第49-51页 |
| 本章小结 | 第51-52页 |
| 4. 影响THz电磁辐射强度的数值模拟 | 第52-68页 |
| ·大孔径光电导偶极天线THz辐射场强度的近、远场表达式 | 第52-55页 |
| ·大孔径天线近、远场THz辐射的模拟 | 第55-64页 |
| ·THz辐射的时间特性和频率特性 | 第56-57页 |
| ·载流子寿命对THz脉冲波形的影响 | 第57-60页 |
| ·光脉冲宽度对THz脉冲波形的影响 | 第60-61页 |
| ·迁移率对THz脉冲波形的影响 | 第61-63页 |
| ·光通量对THz辐射强度的影响--饱和现象 | 第63-64页 |
| ·提高THz辐射功率的实验 | 第64-66页 |
| ·远场THz强度随距离的衰减关系 | 第66-67页 |
| 本章小结 | 第67-68页 |
| 5. 结论 | 第68-69页 |
| ·结论 | 第68页 |
| ·进一步工作的设想 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-75页 |
| 附录 | 第75-76页 |
