| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-30页 |
| 1.1 引言 | 第7页 |
| 1.2 有机场效应晶体管器件结构及工作原理 | 第7-9页 |
| 1.3 有机场效应晶体管的基本参数 | 第9-11页 |
| 1.4 影响场效应晶体管电荷传输的主要因素 | 第11-13页 |
| 1.4.1 半导体材料 | 第11-12页 |
| 1.4.2 绝缘层材料 | 第12-13页 |
| 1.4.3 注入势垒 | 第13页 |
| 1.5 有机小分子半导体材料 | 第13-25页 |
| 1.5.1 p型小分子半导体材料 | 第14-20页 |
| 1.5.2 n型小分子半导体材料 | 第20-23页 |
| 1.5.3 双极型小分子半导体材料 | 第23-25页 |
| 1.6 含薁的半导体材料 | 第25-28页 |
| 1.7 本论文选题思路 | 第28-30页 |
| 第二章 含薁单元的还原橙3分子的合成和光电性质研究 | 第30-47页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 含不同取代基的还原橙3分子的合成 | 第31页 |
| 2.3 光学性质研究 | 第31-34页 |
| 2.3.1 含不同取代基的还原橙3分子紫外可见吸收光谱研究 | 第31-33页 |
| 2.3.2 含不同取代基的还原橙3分子荧光发射光谱研究 | 第33-34页 |
| 2.4 理论计算研究 | 第34-35页 |
| 2.5 电化学性质表征 | 第35-37页 |
| 2.6 质子化效应研究 | 第37-40页 |
| 2.6.1 含不同取代基的还原橙3分子酸响应紫外光谱研究 | 第37-39页 |
| 2.6.2 含不同取代基的还原橙3分子酸响应荧光光谱研究 | 第39-40页 |
| 2.7 热稳定性研究 | 第40-41页 |
| 2.8 场效应性质研究 | 第41-44页 |
| 2.8.1 三个分子单晶器件的构筑 | 第41-42页 |
| 2.8.2 三个分子单晶器件场效应性质的测试 | 第42-44页 |
| 2.9 实验部分 | 第44-46页 |
| 2.9.1 试剂与药品 | 第44页 |
| 2.9.2 测试仪器与方法 | 第44-45页 |
| 2.9.3 目标化合物的合成 | 第45-46页 |
| 2.10 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 含薁单元的新型D-A-D结构半导体材料的合成和性质探究 | 第47-58页 |
| 3.1 引言 | 第47页 |
| 3.2 基于薁单元的酰亚胺结构分子的合成 | 第47-49页 |
| 3.3 含薁化合物理论计算研究 | 第49-51页 |
| 3.4 含薁化合物光学性质研究 | 第51-53页 |
| 3.5 实验部分 | 第53-57页 |
| 3.5.1 试剂和药品 | 第53页 |
| 3.5.2 仪器和测试方法 | 第53页 |
| 3.5.3 薁系列化合物的合成 | 第53-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 总结和展望 | 第58-59页 |
| 附录 | 第59-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 在学期间的研究成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
