| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-45页 |
| 1.1 从霍尔效应到量子反常霍尔效应 | 第11-15页 |
| 1.2 贝利曲率对电场中电子运动的影响 | 第15-20页 |
| 1.2.1 反常速度的起源 | 第15-17页 |
| 1.2.2 贝利曲率的对称性分析 | 第17-18页 |
| 1.2.3 贝利曲率在量子霍尔效应中的影响 | 第18-19页 |
| 1.2.4 贝利曲率在反常霍尔效应中的影响 | 第19-20页 |
| 1.3 范德瓦尔斯异质结及其研究进展 | 第20-37页 |
| 1.3.1 二维层状材料 | 第21-27页 |
| 1.3.2 范德瓦尔斯异质结的分类 | 第27-30页 |
| 1.3.3 范德瓦尔斯异质结的应用 | 第30-37页 |
| 1.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-45页 |
| 第2章 量子反常霍尔效应中由贝利曲率交换引起的安德森局域化 | 第45-64页 |
| 2.1 本章摘要 | 第45页 |
| 2.2 引言 | 第45-46页 |
| 2.3 计算方法 | 第46-48页 |
| 2.4 计算结果与讨论 | 第48-60页 |
| 2.4.1 不同费米速度下电导变化的普适特征 | 第48-52页 |
| 2.4.2 不同费米速度下贝利曲率密度的普适演化 | 第52-54页 |
| 2.4.3 从能隙统计角度看杂质引起的相变 | 第54页 |
| 2.4.4 能量和杂质强度空间的相图 | 第54-58页 |
| 2.4.5 高陈数体系中杂质引起的反常电子输运 | 第58-60页 |
| 2.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第3章 Sierpinski晶格中的普适电导涨落 | 第64-76页 |
| 3.1 本章摘要 | 第64页 |
| 3.2 引言 | 第64-65页 |
| 3.3 计算方法 | 第65-66页 |
| 3.4 计算结果与讨论 | 第66-73页 |
| 3.4.1 结构和电子态密度 | 第66页 |
| 3.4.2 三种系综中的普适电导涨落 | 第66-72页 |
| 3.4.3 圆酉系综和圆辛系综中的电导统计分布 | 第72-73页 |
| 3.5 本章小结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-76页 |
| 第4章 基于石墨烯异质结的垂直电子输运研究 | 第76-95页 |
| 4.1 本章摘要 | 第76页 |
| 4.2 引言 | 第76-77页 |
| 4.3 计算方法 | 第77-79页 |
| 4.4 计算结果与讨论 | 第79-92页 |
| 4.4.1 不同双层中心散射区长度对输运的影响 | 第79-85页 |
| 4.4.2 垂直电子输运中的电流密度分布 | 第85-87页 |
| 4.4.3 电导饱和行为的机理探究 | 第87-90页 |
| 4.4.4 四端口器件中的垂直电子输运 | 第90-92页 |
| 4.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-95页 |
| 第5章 介观旋转双层石墨烯中的垂直电子输运研究 | 第95-109页 |
| 5.1 本章摘要 | 第95页 |
| 5.2 引言 | 第95-96页 |
| 5.3 计算方法 | 第96-98页 |
| 5.4 计算结果与讨论 | 第98-104页 |
| 5.4.1 不同转动轴对电导的影响 | 第98-101页 |
| 5.4.2 不同尺寸对电导的影响 | 第101-102页 |
| 5.4.3 公度角和导线对电导的影响 | 第102-104页 |
| 5.5 本章小结 | 第104-107页 |
| 参考文献 | 第107-109页 |
| 第6章 总结与展望 | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第112-113页 |