| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体光催化技术的原理 | 第10-12页 |
| 1.2.1 半导体光解水产氢的原理 | 第11-12页 |
| 1.3 g-C_3N_4的研究进展以及在光催化中的应用 | 第12-16页 |
| 1.3.1 g-C_3N_4的合成和基本性质 | 第14-16页 |
| 1.4 g-C_3N_4的改性研究 | 第16-22页 |
| 1.4.1 纳米结构设计 | 第16-17页 |
| 1.4.2 构建异质结构 | 第17-18页 |
| 1.4.3 负载助催化剂 | 第18-20页 |
| 1.4.4 电子和能带结构调控 | 第20-22页 |
| 1.4.5 自修饰和表面缺陷 | 第22页 |
| 1.5 贵金属助催化剂的研究现状 | 第22-23页 |
| 1.6 研究的目的和意义 | 第23-24页 |
| 第2章 单原子Pd增强g-C_3N_4的光催化产氢性能研究 | 第24-48页 |
| 2.1 引言 | 第24-26页 |
| 2.2 实验部分 | 第26-28页 |
| 2.2.1 单原子CN-Pd 和对照样CN-NS,CN-Pt-NPs的制备 | 第26页 |
| 2.2.2 样品的表征方法 | 第26-27页 |
| 2.2.3 光催化活性检测 | 第27页 |
| 2.2.4 密度泛函计算 | 第27-28页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第28-47页 |
| 2.3.1 理论计算和模拟分析 | 第28-30页 |
| 2.3.2 单原子Pd的形成和稳定位分析 | 第30-31页 |
| 2.3.3 结构和物相分析 | 第31-34页 |
| 2.3.4 紫外可见吸收光谱 | 第34-35页 |
| 2.3.5 电子迁移分析 | 第35-38页 |
| 2.3.6 比表面积和孔径分布 | 第38-39页 |
| 2.3.7 同步辐射X射线精细结构分析 | 第39-40页 |
| 2.3.8 X射线光电子能谱 | 第40-44页 |
| 2.3.9 DFT计算 | 第44-45页 |
| 2.3.10 光催化活性 | 第45-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第3章 表面改性的结晶g-C_3N_4的光催化产氢性能研究 | 第48-66页 |
| 3.1 引言 | 第48-49页 |
| 3.2 实验部分 | 第49-51页 |
| 3.2.1 结晶g-C_3N_4以及表面修饰结晶g-C_3N_4的制备 | 第49页 |
| 3.2.2 样品的表征 | 第49-50页 |
| 3.2.3 光催化活性的测定 | 第50-51页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第51-65页 |
| 3.3.1 物相结构分析 | 第51-53页 |
| 3.3.2 紫外可见漫反射光谱 | 第53-54页 |
| 3.3.3 形貌分析 | 第54-55页 |
| 3.3.4 比表面积和孔径分析 | 第55-56页 |
| 3.3.5 稳态荧光和瞬态荧光分析 | 第56-58页 |
| 3.3.6 光电化学测试 | 第58-59页 |
| 3.3.7 表面缺陷的表征 | 第59-60页 |
| 3.3.8 表面带电情况和亲水性分析 | 第60-61页 |
| 3.3.9 X射线光电子能谱 | 第61-64页 |
| 3.3.10 光催化产氢性能分析 | 第64页 |
| 3.3.11 光催化性能增强分析 | 第64-65页 |
| 3.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 第4章 结论及展望 | 第66-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-75页 |
| 附录 ：硕士期间已发表和待发表的研究成果 | 第75页 |
