功率集成电路中高压MOS器件及其可靠性的研究
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 缩略词表 | 第9-10页 |
| 目次 | 第10-13页 |
| 1 绪论 | 第13-23页 |
| ·功率集成电路中的MOS器件简介 | 第13-17页 |
| ·LDMOS器件 | 第14-15页 |
| ·VDMOS器件 | 第15-16页 |
| ·新型器件 | 第16-17页 |
| ·MOS器件的可靠性问题 | 第17-21页 |
| ·热载流子效应 | 第18-19页 |
| ·关态雪崩击穿下的可靠性 | 第19-21页 |
| ·本课题的主要工作及章节安排 | 第21-23页 |
| 2 热载流子效应的原理和研究方法 | 第23-31页 |
| ·热载流子效应的微观机理 | 第23-25页 |
| ·界面态和氧化层陷阱电荷 | 第23-24页 |
| ·NMOS的热载流子效应 | 第24-25页 |
| ·热载流子效应的研究方法 | 第25-30页 |
| ·应力实验方法 | 第25-26页 |
| ·TCAD仿真方法 | 第26-27页 |
| ·电荷泵测试方法 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 NLDMOS器件的热载流子效应研究 | 第31-55页 |
| ·UG-NLDMOS的热载流子效应 | 第31-41页 |
| ·UG-NLDMOS的结构 | 第31-32页 |
| ·直流电压应力实验 | 第32-33页 |
| ·TCAD仿真分析退化机制 | 第33-36页 |
| ·Ndd注入剂量的影响 | 第36-38页 |
| ·积累区长度的影响 | 第38-39页 |
| ·寿命模型的验证 | 第39-40页 |
| ·UG-NLDMOS与NMOS的对比 | 第40-41页 |
| ·SG-NLDMOS的热载流子效应 | 第41-51页 |
| ·SG-NLDMOS的结构 | 第41-42页 |
| ·直流电压应力实验 | 第42-43页 |
| ·TCAD仿真分析退化机制 | 第43-44页 |
| ·电荷泵测试 | 第44-47页 |
| ·SG-NLDMOS的退化机制 | 第47-48页 |
| ·Ndd注入剂量的影响 | 第48-50页 |
| ·Ld的影响及寿命模型的验证 | 第50-51页 |
| ·NLDMOS热载流子效应的总结 | 第51-54页 |
| ·两种NLDMOS热载流子效应的比较 | 第51-53页 |
| ·实验中的异常现象 | 第53-54页 |
| ·改善NLDMOS热载流子效应的方法 | 第54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 4 NLDMOS器件在关态雪崩击穿下的退化 | 第55-65页 |
| ·UG-NLDMOS的BV退化 | 第55-58页 |
| ·电流脉冲应力实验 | 第55-57页 |
| ·Ndd注入剂量的影响 | 第57-58页 |
| ·SG-NLDMOS的BV退化 | 第58-62页 |
| ·电流脉冲应力实验 | 第58-60页 |
| ·电荷泵测试 | 第60页 |
| ·退化机制的确定 | 第60-61页 |
| ·Ndd注入剂量的影响 | 第61-62页 |
| ·热载流子效应与BV退化的比较 | 第62-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 5 等离子扫描驱动芯片中高压MOS器件的优化设计 | 第65-77页 |
| ·PDP扫描驱动芯片简介 | 第65-67页 |
| ·器件的优化设计 | 第67-72页 |
| ·PDP扫描驱动芯片中高压器件 | 第67页 |
| ·HV-NVDMOS的分析 | 第67-68页 |
| ·HV-PEDMOS的优化设计 | 第68-72页 |
| ·器件版图及工艺 | 第72-73页 |
| ·测试结果 | 第73-75页 |
| ·本章小结 | 第75-77页 |
| 6 总结及展望 | 第77-79页 |
| ·总结 | 第77页 |
| ·展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 作者简历及在学期间所取得的科研成果 | 第85页 |
