分子束外延HgCdTe原位P型As掺杂研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3 研究意义 | 第13-14页 |
| 第二章 分子束外延生长与测试 | 第14-50页 |
| 2.1 分子束外延设备 | 第14-17页 |
| 2.1.2 三室结构 | 第14-15页 |
| 2.1.3 束源炉 | 第15-17页 |
| 2.2 生长监测手段 | 第17-21页 |
| 2.2.1 红外辐射温度计 | 第17-18页 |
| 2.2.2 热电偶 | 第18-19页 |
| 2.2.3 反射式高能电子衍射仪 | 第19-21页 |
| 2.3 衬底生长温度控制 | 第21-24页 |
| 2.3.1 常规的控温方法 | 第21-23页 |
| 2.3.2 功率补偿控温方法 | 第23-24页 |
| 2.4 样品的测试 | 第24-50页 |
| 2.4.1 红外透射光谱 | 第24-27页 |
| 2.4.2 双晶衍射半峰宽 | 第27-30页 |
| 2.4.3 EPD | 第30-33页 |
| 2.4.4 SIMS测掺杂浓度 | 第33-43页 |
| 2.4.4.1 As标样 | 第35-36页 |
| 2.4.4.2 峰值浓度的拟合 | 第36-39页 |
| 2.4.4.3 As灵敏度因子的计算 | 第39-41页 |
| 2.4.4.4 As掺杂浓度的计算 | 第41-43页 |
| 2.4.5 HALL测试 | 第43-50页 |
| 第三章 分子束外延HgCdTe原位As掺杂 | 第50-62页 |
| 3.1 As掺杂束源炉 | 第50页 |
| 3.2 As掺杂工艺 | 第50-51页 |
| 3.3 As束流与晶体质量 | 第51-55页 |
| 3.4 As束流与宏观缺陷 | 第55-56页 |
| 3.5 As掺杂浓度的控制 | 第56-57页 |
| 3.6 衬底表面温度 | 第57-59页 |
| 3.7 As掺杂的界面效应 | 第59页 |
| 3.8 As掺杂样品的组分与厚度 | 第59-61页 |
| 3.9 As掺杂样品的EPD | 第61-62页 |
| 第四章 原位As掺杂样品退火激活 | 第62-74页 |
| 4.1 激活退火工艺 | 第62-64页 |
| 4.1.1 两步退火 | 第63页 |
| 4.1.2 Hg源的量 | 第63页 |
| 4.1.3 退火方法 | 第63页 |
| 4.1.4 退火条件 | 第63-64页 |
| 4.2 退火与晶体质量 | 第64-65页 |
| 4.3 退火与As的扩散 | 第65-67页 |
| 4.4 退火激活率 | 第67-74页 |
| 第五章 结论 | 第74-78页 |
| 5.1 结论 | 第74-75页 |
| 5.2 创新点 | 第75页 |
| 5.3 主要存在的问题 | 第75-76页 |
| 5.4 后续工作 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-82页 |
| 谢辞 | 第82页 |
