| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 宽电压SRAM研究背景 | 第9-11页 |
| 1.1.1 SRAM的研究意义 | 第9-10页 |
| 1.1.2 宽电压SRAM的重要性 | 第10-11页 |
| 1.2 宽电压SRAM读操作的挑战及研究现状 | 第11-14页 |
| 1.2.1 宽电压SRAM读操作的挑战 | 第11-14页 |
| 1.2.2 宽电压SRAM读操作设计方案的研究现状 | 第14页 |
| 1.3 论文主要工作及设计指标 | 第14-15页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第15-16页 |
| 1.5 本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 宽电压SRAM低摆幅读方案综述 | 第17-31页 |
| 2.1 传统SRAM低摆幅读方案 | 第17-22页 |
| 2.1.1 灵敏放大器 | 第17-20页 |
| 2.1.2 位线分级结构 | 第20-22页 |
| 2.2 消除灵敏放大器使能信号的SRAM低摆幅读方案 | 第22-25页 |
| 2.3 降低位线预充电电压的SRAM低摆幅读方案 | 第25-29页 |
| 2.4 本章小结 | 第29-31页 |
| 第三章 宽电压SRAM恒定低摆幅读电路的设计 | 第31-59页 |
| 3.1 总体设计思路 | 第31-32页 |
| 3.2 读缓冲电路 | 第32-33页 |
| 3.3 灵敏放大器 | 第33-37页 |
| 3.4 宽电压恒定低电平预充电路 | 第37-52页 |
| 3.4.1 宽电压恒定低电平预充电路模型 | 第38-44页 |
| 3.4.2 组合逻辑控制电路和电容控制电路 | 第44-46页 |
| 3.4.3 电荷共享 | 第46-48页 |
| 3.4.4 对比与分析 | 第48-52页 |
| 3.5 读电路整体结构和仿真验证 | 第52-57页 |
| 3.5.1 读电路整体结构 | 第52-54页 |
| 3.5.2 读电路仿真验证 | 第54-57页 |
| 3.6 本章小结 | 第57-59页 |
| 第四章 宽电压SRAM恒定低摆幅读电路的后仿真结果对比 | 第59-67页 |
| 4.1 电路物理实现 | 第59页 |
| 4.2 后仿真结果对比 | 第59-65页 |
| 4.2.1 与传统SRAM读电路的对比 | 第59-62页 |
| 4.2.2 与近年发表文献中读方案的对比 | 第62-65页 |
| 4.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 5.1 总结 | 第67-68页 |
| 5.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 作者简介 | 第75页 |
