单晶硅放电加工蚀除机理及试验研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 图、表清单 | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| ·半导体加工方法概述 | 第13-15页 |
| ·传统加工方法 | 第13-14页 |
| ·硅片电火花高效加工方法概述 | 第14-15页 |
| ·电火花加工原理及基础理论研究进展 | 第15-17页 |
| ·电火花加工基本原理 | 第15页 |
| ·金属材料放电加工基础理论研究进展 | 第15-17页 |
| ·有限元仿真在电火花加工中的应用 | 第17-18页 |
| ·有限元仿真在EDM 温度场中的应用 | 第17-18页 |
| ·有限元仿真在EDM 热应力场中的应用 | 第18页 |
| ·本课题研究目的及主要内容 | 第18-21页 |
| ·课题的提出 | 第18-19页 |
| ·论文结构及主要研究工作 | 第19-21页 |
| 第二章 主要试验设备介绍 | 第21-28页 |
| ·电火花线切割加工机床 | 第21-23页 |
| ·电火花线切割机床改造 | 第21-22页 |
| ·新型复合工作液 | 第22-23页 |
| ·电极损耗研究试验装置 | 第23-25页 |
| ·试验平台 | 第23-24页 |
| ·电源设计 | 第24-25页 |
| ·伺服进给系统 | 第25页 |
| ·其它实验设备 | 第25-27页 |
| ·本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 单晶硅放电蚀除机理研究 | 第28-50页 |
| ·有限元模型的建立 | 第28-36页 |
| ·放电能量的分析 | 第28-29页 |
| ·放电通道半径估算 | 第29-30页 |
| ·热源模型 | 第30-33页 |
| ·物理模型的建立 | 第33页 |
| ·初始和边界条件 | 第33-35页 |
| ·材料的选取与建模 | 第35-36页 |
| ·求解与分析 | 第36-38页 |
| ·实验验证 | 第38-40页 |
| ·蚀除凹坑变化规律 | 第40-46页 |
| ·蚀除凹坑在径向半径和轴向深度方向的大小 | 第40-41页 |
| ·蚀除凹坑随参数变化规律 | 第41-46页 |
| ·蚀除凹坑的宏观表现 | 第46-48页 |
| ·深径比与表面粗糙度 | 第46-47页 |
| ·相对电极损耗 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 单晶硅放电加工表面粗糙度研究 | 第50-58页 |
| ·单晶硅放电加工表面粗糙度模型 | 第50-51页 |
| ·正交试验设计 | 第51-54页 |
| ·正交试验设计理论 | 第51页 |
| ·正交试验方案 | 第51-52页 |
| ·试验结果分析 | 第52-54页 |
| ·因素与指标关系图 | 第54-56页 |
| ·仿真与试验结果对比 | 第56-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 单晶硅放电加工电极损耗研究 | 第58-70页 |
| ·电极损耗及在金属材料放电加工中的研究 | 第58-60页 |
| ·电极损耗 | 第58页 |
| ·金属材料放电加工中的电极损耗研究 | 第58-60页 |
| ·单晶硅放电加工相对电极损耗试验 | 第60-61页 |
| ·单晶硅与金属铜放电加工工具相对电极损耗对比试验 | 第61-64页 |
| ·单晶硅放电加工工具电极相对损耗随参数变化规律 | 第64-67页 |
| ·脉冲宽度对相对损耗量的影响 | 第64-65页 |
| ·占空比对相对损耗量的影响 | 第65-66页 |
| ·电压对相对损耗量的影响 | 第66-67页 |
| ·冲液对相对电极损耗的影响 | 第67页 |
| ·仿真值与试验值对比图 | 第67-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| ·总结 | 第70页 |
| ·展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文 | 第77页 |
