| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第14-40页 |
| 1.1 铁电薄膜材料 | 第14-24页 |
| 1.1.1 铁电材料研究历史 | 第14-16页 |
| 1.1.2 铁电材料的晶体结构 | 第16-18页 |
| 1.1.3 铁电薄膜的制备方法 | 第18-22页 |
| 1.1.4 PZT薄膜研究现状 | 第22-24页 |
| 1.2 介电薄膜材料 | 第24-26页 |
| 1.3 薄膜残余应力 | 第26-33页 |
| 1.3.1 薄膜残余应力测量方法 | 第26-32页 |
| 1.3.2 薄膜残余应力对性能的影响 | 第32-33页 |
| 1.4 异质叠层薄膜 | 第33-38页 |
| 1.4.1 介电/介电异质叠层薄膜 | 第33-35页 |
| 1.4.2 铁电基异质叠层薄膜 | 第35-38页 |
| 1.5 本论文的目的及意义 | 第38页 |
| 1.6 本论文的主要研究内容 | 第38-40页 |
| 第2章 BMT/PZT异质叠层薄膜的制备及性能表征 | 第40-57页 |
| 2.1 实验原料与设备 | 第40-41页 |
| 2.2 前驱体溶液的制备 | 第41-43页 |
| 2.2.1 PZT前驱体溶液的制备 | 第41-42页 |
| 2.2.2 BMT前驱体溶液的制备 | 第42-43页 |
| 2.3 薄膜的制备 | 第43-46页 |
| 2.3.1 基片的清洗 | 第43-44页 |
| 2.3.2 PZT薄膜的制备 | 第44-45页 |
| 2.3.3 BMT薄膜的制备 | 第45页 |
| 2.3.4 BMT/PZT异质叠层薄膜的制备 | 第45-46页 |
| 2.4 薄膜的结构表征技术 | 第46-47页 |
| 2.5 薄膜的性能表征技术 | 第47-57页 |
| 2.5.1 薄膜残余应力表征技术 | 第47-51页 |
| 2.5.2 薄膜的电性能 | 第51-57页 |
| 第3章 残余应力对PZT、BMT薄膜性能的影响 | 第57-72页 |
| 3.1 PZT薄膜残余应力的分析 | 第57-62页 |
| 3.1.1 PZT薄膜结构分析 | 第57-59页 |
| 3.1.2 Raman法表征PZT薄膜的残余应力 | 第59-60页 |
| 3.1.3 纳米压痕法表征PZT薄膜的残余应力 | 第60-62页 |
| 3.2 残余应力对PZT薄膜性能的影响 | 第62-65页 |
| 3.2.1 残余应力对PZT薄膜介电性能的影响 | 第62-63页 |
| 3.2.2 残余应力对PZT薄膜铁电性能的影响 | 第63-65页 |
| 3.2.3 残余应力对PZT薄膜压电性能的影响 | 第65页 |
| 3.3 BMT薄膜残余应力的分析 | 第65-69页 |
| 3.3.1 BMT薄膜结构分析 | 第66-67页 |
| 3.3.2 纳米压痕法表征BMT薄膜的残余应力 | 第67-69页 |
| 3.4 残余应力对BMT薄膜介电性能的影响 | 第69-70页 |
| 3.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 第4章 BMT缓冲层厚度对PZT薄膜性能的影响 | 第72-94页 |
| 4.1 BMT缓冲层厚度对PZT薄膜结构的影响 | 第72-73页 |
| 4.2 BMT缓冲层厚度对PZT薄膜性能的影响 | 第73-81页 |
| 4.2.1 PZT/BMT薄膜介电性能的分析 | 第73-76页 |
| 4.2.2 PZT/BMT薄膜铁电性能的分析 | 第76-78页 |
| 4.2.3 PZT/BMT薄膜漏电机制的分析 | 第78-81页 |
| 4.3 BMT缓冲层厚度对PZT薄膜温度稳定性的影响 | 第81-85页 |
| 4.3.1 PZT/BMT薄膜的介电温度稳定性 | 第82-83页 |
| 4.3.2 PZT/BMT薄膜的铁电温度稳定性 | 第83-85页 |
| 4.4 BMT缓冲层厚度对PZT薄膜铁电频率稳定性的影响 | 第85-87页 |
| 4.4.1 PZT/BMT薄膜ε-E曲线的频率稳定性 | 第85-86页 |
| 4.4.2 PZT/BMT薄膜电滞回线的频率稳定性 | 第86-87页 |
| 4.5 BMT缓冲层对PZT薄膜疲劳特性的影响 | 第87-88页 |
| 4.6 BMT缓冲层对PZT薄膜极化机制的影响 | 第88-92页 |
| 4.7 本章小结 | 第92-94页 |
| 第5章 PZT薄膜厚度对BMT/PZT性能的影响 | 第94-104页 |
| 5.1 PZT薄膜厚度对BMT/PZT薄膜结构的影响 | 第94-95页 |
| 5.2 PZT薄膜厚度对BMT/PZT薄膜性能的影响 | 第95-101页 |
| 5.2.1 BMT/PZT薄膜介电性能的分析 | 第95-97页 |
| 5.2.2 BMT/PZT薄膜铁电性能的分析 | 第97-99页 |
| 5.2.3 BMT/PZT薄膜漏电机制的分析 | 第99-101页 |
| 5.3 温度场对BMT/PZT薄膜介电性能的影响 | 第101-102页 |
| 5.4 PZT对BMT薄膜极化机制的影响 | 第102-103页 |
| 5.5 本章小结 | 第103-104页 |
| 第6章 异质界面结构对BMT/PZT薄膜性能的影响 | 第104-127页 |
| 6.1 BMT/PZT异质叠层薄膜界面结构的设计 | 第104-105页 |
| 6.2 BMT/PZT异质叠层薄膜界面结构的分析 | 第105-109页 |
| 6.2.1 BMT/PZT异质叠层薄膜晶体结构 | 第105页 |
| 6.2.2 BMT/PZT异质叠层薄膜断面形貌 | 第105-106页 |
| 6.2.3 BMT/PZT异质叠层薄膜界面组成 | 第106-109页 |
| 6.3 BMT/PZT异质叠层薄膜界面极化 | 第109-111页 |
| 6.4 异质界面结构对BMT/PZT薄膜性能的影响 | 第111-116页 |
| 6.4.1 异质界面结构对BMT/PZT薄膜介电性能的影响 | 第111-113页 |
| 6.4.2 异质界面结构对BMT/PZT薄膜铁电性能的影响 | 第113-116页 |
| 6.5 异质界面结构对BMT/PZT薄膜温度稳定性的影响 | 第116-118页 |
| 6.5.1 异质界面结构对BMT/PZT薄膜介电温度稳定性的影响 | 第116页 |
| 6.5.2 异质界面结构对BMT/PZT薄膜铁电温度稳定性的影响 | 第116-118页 |
| 6.6 异质界面结构对BMT/PZT薄膜频率稳定性的影响 | 第118-120页 |
| 6.6.1 异质界面结构对BMT/PZT薄膜ε-E曲线频率稳定性的影响 | 第118-119页 |
| 6.6.2 异质界面结构对BMT/PZT薄膜电滞回线频率稳定性的影响 | 第119-120页 |
| 6.7 异质界面结构对BMT/PZT薄膜疲劳特性的影响 | 第120-121页 |
| 6.8 BMT/PZT异质叠层薄膜性能增强机理分析 | 第121-125页 |
| 6.9 本章小结 | 第125-127页 |
| 第7章 结论和展望 | 第127-129页 |
| 7.1 结论 | 第127-128页 |
| 7.2 展望 | 第128-129页 |
| 致谢 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-144页 |
| 附录 1 博士学习期间已经发表和即将发表的论文 | 第144页 |
| 附录 2 博士学习期间授权的专利 | 第144-145页 |
| 附录 3 博士学习期间参加的会议 | 第145页 |
| 附录 4 博士学习期间参与的科研项目 | 第145页 |
