| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 纳米材料的分类 | 第11-12页 |
| 1.3 纳米材料的基本性能 | 第12-13页 |
| 1.4 一维纳米材料的制备方法 | 第13-17页 |
| 1.4.1 液相生长法 | 第14页 |
| 1.4.2 范德瓦尔斯外延生长法 | 第14-15页 |
| 1.4.3 固相生长法 | 第15页 |
| 1.4.4 气相生长法 | 第15-17页 |
| 1.5 二维层状材料及其制备方法 | 第17-18页 |
| 1.5.1 石墨烯 | 第17-18页 |
| 1.5.2 过渡金属硫化物(TMDS) | 第18页 |
| 1.6 GaSe纳米材料的研究进展 | 第18-22页 |
| 1.6.1 GaSe纳米材料的结构 | 第18-19页 |
| 1.6.2 GaSe纳米材料的合成 | 第19-20页 |
| 1.6.3 GaSe纳米材料的应用 | 第20-22页 |
| 1.7 本文的选题意义及研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 自催化VLS生长GaSe纳米带 | 第23-31页 |
| 2.1 引言 | 第23页 |
| 2.2 实验部分 | 第23-25页 |
| 2.2.1 实验原料 | 第23-24页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第24页 |
| 2.2.3 高结晶度GaSe纳米带的制备 | 第24-25页 |
| 2.3 结果与分析 | 第25-30页 |
| 2.3.1 GaSe纳米带的SEM表征结果与分析 | 第25页 |
| 2.3.2 GaSe纳米带的AFM表征结果与分析 | 第25-26页 |
| 2.3.3 GaSe纳米带的XRD表征结果与分析 | 第26-27页 |
| 2.3.4 GaSe纳米带的TEM表征结果与分析 | 第27页 |
| 2.3.5 GaSe纳米带的光学表征 | 第27-28页 |
| 2.3.6 GaSe纳米带的X射线光电子能谱分析 | 第28-29页 |
| 2.3.7 GaSe纳米带的能带计算 | 第29页 |
| 2.3.8 GaSe纳米带的形成机理分析 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 基于GaSe纳米带的光探测器 | 第31-38页 |
| 3.1 引言 | 第31-32页 |
| 3.2 实验部分 | 第32-34页 |
| 3.2.1 实验原料 | 第32页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第32页 |
| 3.2.3 GaSe纳米带场效应晶体管和光探测器的制作 | 第32-34页 |
| 3.3 结果与分析 | 第34-37页 |
| 3.3.1 GaSe纳米带的电输运性能测试结果与分析 | 第34-35页 |
| 3.3.2 GaSe纳米带的光探测性能测试 | 第35-37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 二维层状GaSe纳米片可控合成和表征 | 第38-46页 |
| 4.1 引言 | 第38-39页 |
| 4.2 实验部分 | 第39-41页 |
| 4.2.1 实验原料与化学试剂 | 第39页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第39-40页 |
| 4.2.3 高结晶度GaSe纳米片的制备与转移 | 第40-41页 |
| 4.3 结果与分析 | 第41-44页 |
| 4.3.1 二维层状GaSe纳米片的SEM与AFM表征结果与分析 | 第41-42页 |
| 4.3.2 二维层状GaSe纳米片的TEM表征结果与分析 | 第42页 |
| 4.3.3 二维层状GaSe纳米片的XRD表征结果与分析 | 第42-43页 |
| 4.3.4 二维层状GaSe纳米片的光致发光与拉曼表征结果与分析 | 第43-44页 |
| 4.4 生长机理解释 | 第44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 第5章 In_xGa_(1-x)Se合金纳米带的生长与表征 | 第46-52页 |
| 5.1 引言 | 第46页 |
| 5.2 实验部分 | 第46-48页 |
| 5.2.1 实验原料 | 第46-47页 |
| 5.2.2 实验仪器 | 第47页 |
| 5.2.3 In_xGa_(1-x)Se(0≤x≤0.1)纳米带的制备 | 第47-48页 |
| 5.3 In_xGa_(1-x)Se纳米带的表征结果与分析 | 第48-51页 |
| 5.3.1 In_xGa_(1-x)Se纳米带的TEM表征 | 第49-50页 |
| 5.3.2 In_xGa_(1-x)Se纳米带的XRD表征结果与分析 | 第50页 |
| 5.3.3 In_xGa_(1-x)Se纳米带的光致发光表征结果与分析 | 第50-51页 |
| 5.3.4 In_xGa_(1-x)Se纳米带的生长机制分析 | 第51页 |
| 5.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 结论和展望 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间所发表的论文 | 第65页 |
