低压驱动高增益体异质结有机光电探测器的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 课题研究的背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 有机光电探测器简介 | 第10-12页 |
| 1.2.1 有机光电探测器工作原理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 有机光电探测器的主要性能参数 | 第12页 |
| 1.3 国内外研究现状及分析 | 第12-18页 |
| 1.3.1 国外研究现状 | 第12-14页 |
| 1.3.2 国内研究现状 | 第14-17页 |
| 1.3.3 国内外文献综述及简析 | 第17-18页 |
| 1.4 本课题的主要研究内容及创新性 | 第18-20页 |
| 第2章 实验方法 | 第20-30页 |
| 2.1 实验材料 | 第20-21页 |
| 2.2 实验设备 | 第21-22页 |
| 2.3 高增益异质结光电探测器的制备 | 第22-24页 |
| 2.4 薄膜材料表征 | 第24-25页 |
| 2.4.1 薄膜表面形貌与膜厚表征 | 第24页 |
| 2.4.2 材料吸收光谱与功函数表征 | 第24-25页 |
| 2.5 有机光电探测器的表征 | 第25-30页 |
| 2.5.1 电流-电压曲线测试 | 第25-26页 |
| 2.5.2 外量子效率的测试 | 第26页 |
| 2.5.3 响应强度和速度表征 | 第26-27页 |
| 2.5.4 探测率的表征 | 第27-28页 |
| 2.5.5 线性度的表征 | 第28-30页 |
| 第3章 有机缺陷材料掺杂高增益器件制备 | 第30-53页 |
| 3.1 引言 | 第30-31页 |
| 3.2 有机材料的紫外可见吸收光谱 | 第31-32页 |
| 3.3 掺杂共轭缺陷材料的光电特性 | 第32-33页 |
| 3.4 缺陷材料掺杂对成膜质量的影响 | 第33-35页 |
| 3.5 基于PCE-10材料制备高增益器件 | 第35-45页 |
| 3.5.1 电子给受体比例 | 第35-36页 |
| 3.5.2 掺杂形式对器件高增益效果的影响 | 第36-37页 |
| 3.5.3 旋涂工艺对器件高增益效果的影响 | 第37-38页 |
| 3.5.4 氨基酸修饰对器件高增益的影响 | 第38-40页 |
| 3.5.5 缺陷材料掺杂比例对器件增益影响 | 第40-42页 |
| 3.5.6 电子受体比例对器件高增益的影响 | 第42-45页 |
| 3.6 其余活性层材料制备高增益器件 | 第45-51页 |
| 3.6.1 基于PDPP3T材料制备高增益器件 | 第45-47页 |
| 3.6.2 基于MEH-PPV材料制备高增益器件 | 第47-49页 |
| 3.6.3 基于有机-无机杂化体系制备增益器件 | 第49-51页 |
| 3.7 本章小结 | 第51-53页 |
| 第4章 缺陷对性能影响及高增益工作机理 | 第53-68页 |
| 4.1 引言 | 第53页 |
| 4.2 有机缺陷材料掺杂对器件性能影响 | 第53-59页 |
| 4.2.1 线性度 | 第54-55页 |
| 4.2.2 稳定性 | 第55-57页 |
| 4.2.3 响应度 | 第57-58页 |
| 4.2.4 响应时间 | 第58-59页 |
| 4.3 器件高增益的工作机理 | 第59-67页 |
| 4.3.1 活化能 | 第59-61页 |
| 4.3.2 偏压对高增益影响 | 第61-62页 |
| 4.3.3 器件结构对高增益的影响 | 第62-63页 |
| 4.3.4 异质结对器件高增益影响 | 第63-65页 |
| 4.3.5 工作机理 | 第65-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-68页 |
| 结论 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及其它成果 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
