| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 1. 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1. TFET的研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2. TFET的研究进展和现状 | 第10-11页 |
| 1.3. 论文的研究内容及安排 | 第11-13页 |
| 2. TFET简介及其建模仿真 | 第13-27页 |
| 2.1. TFET的器件结构 | 第13-14页 |
| 2.2. TFET的工作原理 | 第14-18页 |
| 2.3. TFET的优点 | 第18-19页 |
| 2.4. 石墨烯纳米带TFET | 第19-23页 |
| 2.4.1. 石墨烯基本理论及制备方法 | 第19-20页 |
| 2.4.2. 石墨烯纳米带的基本理论 | 第20-22页 |
| 2.4.3. 石墨烯纳米带TFET的优点 | 第22-23页 |
| 2.5. TFET的建模与仿真 | 第23-26页 |
| 2.6. 本章小结 | 第26-27页 |
| 3. 同质结双栅石墨烯纳米带TFET | 第27-45页 |
| 3.1. 器件结构与建模方法 | 第27-30页 |
| 3.2. 器件结构和参数对性能的影响 | 第30-40页 |
| 3.2.1. 双栅结构 | 第30-31页 |
| 3.2.2. T区域 | 第31-34页 |
| 3.2.3. 栅极对齐 | 第34-36页 |
| 3.2.4. 栅氧层介电常数 | 第36-37页 |
| 3.2.5. 漏极结构 | 第37-40页 |
| 3.3. 优化后的器件 | 第40-43页 |
| 3.4. 本章小结 | 第43-45页 |
| 4. 无结复合栅石墨烯纳米带TFET | 第45-55页 |
| 4.1. 器件结构与建模方法 | 第45-47页 |
| 4.2. 复合栅调控原理 | 第47-48页 |
| 4.3. 栅氧层的设计 | 第48页 |
| 4.4. LGAP,S和LGAP,D对器件性能的影响 | 第48-52页 |
| 4.4.1. LGAP,S对器件性能的影响 | 第49-50页 |
| 4.4.2. LGAP,D对器件性能的影响 | 第50-52页 |
| 4.5. 优化后的器件 | 第52-54页 |
| 4.6. 本章小结 | 第54-55页 |
| 5. 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1. 全文总结 | 第55-56页 |
| 5.2. 不足与展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 附录 | 第63-68页 |
| 作者在读期间发表的学术论文及参加的科研项目、学科竞赛 | 第68页 |