| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| ABSTRACT | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第15-22页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第15-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-20页 |
| 1.3 研究内容和创新点 | 第20-21页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第21-22页 |
| 第二章 单粒子效应的基本理论 | 第22-32页 |
| 2.1 辐射环境 | 第22-25页 |
| 2.1.1 银河宇宙射线 | 第22-23页 |
| 2.1.2 太阳宇宙射线 | 第23页 |
| 2.1.3 地球俘获带 | 第23-25页 |
| 2.1.4 大气辐射环境 | 第25页 |
| 2.1.5 其他辐射环境 | 第25页 |
| 2.2 辐射效应对集成电路的影响 | 第25-26页 |
| 2.3 单粒子效应 | 第26-32页 |
| 2.3.1 单粒子效应机理 | 第26-27页 |
| 2.3.2 单粒子效应分类 | 第27-28页 |
| 2.3.3 单粒子效应电路级建模 | 第28-29页 |
| 2.3.4 SEU和SET对电路的影响 | 第29-32页 |
| 第三章 抗SEU加固锁存器设计 | 第32-45页 |
| 3.1 RHBD技术 | 第32页 |
| 3.2 标准静态锁存器工作原理 | 第32-33页 |
| 3.3 现有抗SEU锁存器加固方案 | 第33-38页 |
| 3.3.1 TMR加固方案 | 第33-34页 |
| 3.3.2 DICE加固方案 | 第34-35页 |
| 3.3.3 基于C单元的双模冗余加固方案 | 第35-36页 |
| 3.3.4 基于检错纠错电路的加固方案 | 第36-37页 |
| 3.3.5 基于C单元的冗余反馈回路加固方案 | 第37-38页 |
| 3.4 提出的抗SEU锁存器加固方案 | 第38-44页 |
| 3.4.1 电路结构和容错原理 | 第38-39页 |
| 3.4.2 仿真验证 | 第39-40页 |
| 3.4.3 适用范围 | 第40-42页 |
| 3.4.4 开销比较 | 第42-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第四章 抗SEU/SET加固锁存器设计 | 第45-57页 |
| 4.1 抗SEU/SET锁存器加固方案 | 第45-48页 |
| 4.1.1 基于时空三模冗余技术的加固方案 | 第45-46页 |
| 4.1.2 基于C单元的时域采样技术的加固方案 | 第46-47页 |
| 4.1.3 基于施密特触发器的脉冲过滤技术的加固方案 | 第47-48页 |
| 4.2 提出的SC单元结构 | 第48-49页 |
| 4.3 提出的抗SET/SEU锁存器加固方案 | 第49-56页 |
| 4.3.1 电路结构和容错原理 | 第49-51页 |
| 4.3.2 仿真验证 | 第51-52页 |
| 4.3.3 开销比较 | 第52-54页 |
| 4.3.4 工艺偏差的影响 | 第54-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结与展望 | 第57-59页 |
| 5.1 全文总结 | 第57-58页 |
| 5.2 工作展望 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第64页 |