摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
1 绪论 | 第11-41页 |
1.1 引言 | 第11页 |
1.2 纳米材料与技术在各个领域的应用 | 第11-13页 |
1.3 半导体纳米材料的制备方法 | 第13-23页 |
1.4 半导体纳米材料的微纳器件研究进展 | 第23-38页 |
1.5 本论文的选题意义和主要的研究内容 | 第38-41页 |
2 Zn_3As_2纳米线的气相合成及其光学和电学性质研究 | 第41-61页 |
2.1 引言 | 第41-42页 |
2.2 Zn_3As_2纳米线的合成及其光电器件制备 | 第42-45页 |
2.3 Zn_3As_2纳米线的表征及其光学和电学性能研究 | 第45-59页 |
2.4 本章小结 | 第59-61页 |
3 X(In,Ga)P纳米线的气相合成及其光学和电学性质研究 | 第61-82页 |
3.1 引言 | 第61-62页 |
3.2 X(In,Ga)P纳米线的合成及其光电器件制备 | 第62-63页 |
3.3 X(In,Ga)P纳米线的表征及其光学和电学性能研究 | 第63-81页 |
3.4 本章小结 | 第81-82页 |
4 珠状GaP纳米线的气相合成及其在有机-无机复合光探测器中的应用 | 第82-100页 |
4.1 引言 | 第82-83页 |
4.2 珠状GaP纳米线的合成及其光电器件制备 | 第83-84页 |
4.3 珠状GaP纳米线的表征及其光电性能研究 | 第84-98页 |
4.4 本章小结 | 第98-100页 |
5 Cd_3P_2纳米线的气相合成及其在有机-无机复合光探测器中的研究 | 第100-121页 |
5.1 引言 | 第100-101页 |
5.2 Cd_3P_2纳米线的合成及其光电器件制备 | 第101-102页 |
5.3 Cd_3P_2纳米线的表征及其光电性能研究 | 第102-119页 |
5.4 本章小结 | 第119-121页 |
6 总结与展望 | 第121-125页 |
6.1 工作总结 | 第121-123页 |
6.2 展望 | 第123-125页 |
致谢 | 第125-126页 |
参考文献 | 第126-140页 |
攻读博士学位期间发表论文目录 | 第140-141页 |