| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 垂直腔面发射激光器简介 | 第10-13页 |
| 1.1.1 垂直腔面发射激光器的结构及特点 | 第10-12页 |
| 1.1.2 垂直腔面发射激光器的应用前景 | 第12-13页 |
| 1.2 976nm波段VCSEL国内外技术现状 | 第13-20页 |
| 1.2.1 国外技术现状 | 第13-17页 |
| 1.2.2 国内技术现状 | 第17-20页 |
| 1.3 本论文研究意义 | 第20页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第20-21页 |
| 1.5 本章小结 | 第21-23页 |
| 2 976nm大功率VCSEL结构设计与特性计算 | 第23-41页 |
| 2.1 分布布拉格反射镜的设计 | 第23-30页 |
| 2.1.1 DBR材料选择及A1_xGa_(1-x)As折射率 | 第23-24页 |
| 2.1.2 DBR结构设计理论 | 第24-26页 |
| 2.1.3 DBR反射率计算分析 | 第26-29页 |
| 2.1.4 DBR的串联电阻 | 第29-30页 |
| 2.2 多量子阱有源区计算 | 第30-38页 |
| 2.2.1 应变理论 | 第30-32页 |
| 2.2.2 应变材料带隙理论 | 第32-34页 |
| 2.2.3 量子阱材料选择 | 第34-35页 |
| 2.2.4 量子阱组分设计 | 第35-36页 |
| 2.2.5 量子阱阱宽及个数设计 | 第36-38页 |
| 2.3 氧化限制层的设计 | 第38页 |
| 2.4 缓冲层的设计 | 第38-39页 |
| 2.5 976nmVCSEL材料结构的设计 | 第39-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 3 不同掺杂对DBR结构材料特性及光学特性的影响 | 第41-53页 |
| 3.1 DBR结构材料的设计 | 第41-42页 |
| 3.2 材料生长与测试方法简介 | 第42-44页 |
| 3.2.1 MOCVD生长技术简介 | 第42-43页 |
| 3.2.2 材料测试方法简介 | 第43-44页 |
| 3.3 DBR材料结构的生长 | 第44-45页 |
| 3.4 材料结构的晶体品质分析 | 第45-46页 |
| 3.5 外延材料结构厚度信息 | 第46-47页 |
| 3.6 DBR结构掺杂浓度分布 | 第47-48页 |
| 3.7 DBR结构的PL谱特性 | 第48-51页 |
| 3.7.1 DBR结构变温PL谱 | 第48-50页 |
| 3.7.2 DBR结构辐射复合机理 | 第50-51页 |
| 3.8 DBR结构反射谱特性 | 第51-52页 |
| 3.9 本章小结 | 第52-53页 |
| 4 VCSEL结构中AlGaAs层的氧化工艺研究 | 第53-67页 |
| 4.1 湿法氧化外延材料结构设计 | 第53-54页 |
| 4.2 材料结构的晶体品质分析 | 第54-55页 |
| 4.3 外延材料结构厚度信息 | 第55-56页 |
| 4.3.1 多量子阱有源区结构图 | 第55页 |
| 4.3.2 外延材料整体结构图 | 第55-56页 |
| 4.4 湿法氧化工艺介绍 | 第56-58页 |
| 4.5 湿法氧化结果分析 | 第58-64页 |
| 4.5.1 Al_(0.98)Ga_(0.02)As层的氧化 | 第58-62页 |
| 4.5.2 Al_(0.9)Ga_(0.1)As层的氧化 | 第62-64页 |
| 4.6 湿法氧化机理分析 | 第64-65页 |
| 4.7 本章小结 | 第65-67页 |
| 5 976nm大功率VCSEL结构材料测试及制作工艺 | 第67-71页 |
| 5.1 976nm大功率VCSEL结构材料测试 | 第67-69页 |
| 5.1.1 976nmVCSEL材料结构晶体品质分析 | 第67-68页 |
| 5.1.2 976nmVCSEL结构反射谱特性 | 第68页 |
| 5.1.3 976nmVCSEL结构掺杂浓度分布 | 第68-69页 |
| 5.2 976nm大功率VCSEL器件制作工艺流程 | 第69-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 6 结论与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 结论 | 第71-72页 |
| 6.2 展望 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-83页 |
| 在校期间学术成果 | 第83页 |
