CMOS高精度霍尔开关电路设计
摘要 | 第5-6页 |
ABSTRACT | 第6-7页 |
图录 | 第10-12页 |
表录 | 第12-13页 |
第一章 绪论 | 第13-20页 |
1.1 霍尔传感器的发展 | 第13-15页 |
1.2 霍尔传感器的分类 | 第15-17页 |
1.2.1 开关型霍尔 | 第15-16页 |
1.2.2 线性霍尔 | 第16-17页 |
1.3 研究的背景方向和意义 | 第17-18页 |
1.4 课题的目标和结构 | 第18-19页 |
1.5 本章小结 | 第19-20页 |
第二章 霍尔电压发生器及其设计 | 第20-29页 |
2.1 霍尔电压发生器 | 第20-24页 |
2.1.1 霍尔电压发生器的工作原理 | 第20-22页 |
2.1.2 霍尔电压发生器的工作方式 | 第22-23页 |
2.1.3 霍尔电压发生器的磁灵敏度 | 第23-24页 |
2.1.4 霍尔电压发生器的温度特性 | 第24页 |
2.2 霍尔电压发生器的设计 | 第24-28页 |
2.2.1 霍尔片的失调电压 | 第24-26页 |
2.2.2 “Quad” Cell 结构设计 | 第26-27页 |
2.2.3 正交电流法设计 | 第27-28页 |
2.3 本章小结 | 第28-29页 |
第三章 霍尔电压信号处理电路设计 | 第29-51页 |
3.1 本设计的模块结构 | 第29-30页 |
3.2 各模块的电路设计 | 第30-47页 |
3.2.1 上电复位电路 | 第30-31页 |
3.2.2 时钟振荡电路 | 第31-34页 |
3.2.3 睡眠唤醒电路 | 第34-36页 |
3.2.4 斩波采样时钟电路 | 第36-38页 |
3.2.5 斩波稳定放大器 | 第38-45页 |
3.2.6 双磁极比较器 | 第45-47页 |
3.3 版图整体设计 | 第47-50页 |
3.3.1 芯片的版图布局 | 第47-48页 |
3.3.2 芯片的 ESD 设计 | 第48-49页 |
3.3.3 闩锁效应的产生及其防治措施 | 第49-50页 |
3.4 本章小结 | 第50-51页 |
第四章 芯片的测试 | 第51-58页 |
4.1 工作应用 | 第51-52页 |
4.2 封装形式 | 第52-53页 |
4.3 CP 测试和 FT 测试 | 第53-54页 |
4.4 ESD 和 Latch up 测试 | 第54-56页 |
4.5 磁参数的测试结果 | 第56-57页 |
4.6 本章小结 | 第57-58页 |
第五章 改进建议和最终测试结果 | 第58-66页 |
5.1 测试精度的改进 | 第58页 |
5.2 磁参数的调整 | 第58-59页 |
5.3 测试覆盖率的改进 | 第59-62页 |
5.4 最终测试结果 | 第62-65页 |
5.5 本章小结 | 第65-66页 |
第六章 结论 | 第66-67页 |
参考文献 | 第67-69页 |
致谢 | 第69-70页 |
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第70页 |