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CMOS高精度霍尔开关电路设计

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
图录第10-12页
表录第12-13页
第一章 绪论第13-20页
    1.1 霍尔传感器的发展第13-15页
    1.2 霍尔传感器的分类第15-17页
        1.2.1 开关型霍尔第15-16页
        1.2.2 线性霍尔第16-17页
    1.3 研究的背景方向和意义第17-18页
    1.4 课题的目标和结构第18-19页
    1.5 本章小结第19-20页
第二章 霍尔电压发生器及其设计第20-29页
    2.1 霍尔电压发生器第20-24页
        2.1.1 霍尔电压发生器的工作原理第20-22页
        2.1.2 霍尔电压发生器的工作方式第22-23页
        2.1.3 霍尔电压发生器的磁灵敏度第23-24页
        2.1.4 霍尔电压发生器的温度特性第24页
    2.2 霍尔电压发生器的设计第24-28页
        2.2.1 霍尔片的失调电压第24-26页
        2.2.2 “Quad” Cell 结构设计第26-27页
        2.2.3 正交电流法设计第27-28页
    2.3 本章小结第28-29页
第三章 霍尔电压信号处理电路设计第29-51页
    3.1 本设计的模块结构第29-30页
    3.2 各模块的电路设计第30-47页
        3.2.1 上电复位电路第30-31页
        3.2.2 时钟振荡电路第31-34页
        3.2.3 睡眠唤醒电路第34-36页
        3.2.4 斩波采样时钟电路第36-38页
        3.2.5 斩波稳定放大器第38-45页
        3.2.6 双磁极比较器第45-47页
    3.3 版图整体设计第47-50页
        3.3.1 芯片的版图布局第47-48页
        3.3.2 芯片的 ESD 设计第48-49页
        3.3.3 闩锁效应的产生及其防治措施第49-50页
    3.4 本章小结第50-51页
第四章 芯片的测试第51-58页
    4.1 工作应用第51-52页
    4.2 封装形式第52-53页
    4.3 CP 测试和 FT 测试第53-54页
    4.4 ESD 和 Latch up 测试第54-56页
    4.5 磁参数的测试结果第56-57页
    4.6 本章小结第57-58页
第五章 改进建议和最终测试结果第58-66页
    5.1 测试精度的改进第58页
    5.2 磁参数的调整第58-59页
    5.3 测试覆盖率的改进第59-62页
    5.4 最终测试结果第62-65页
    5.5 本章小结第65-66页
第六章 结论第66-67页
参考文献第67-69页
致谢第69-70页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第70页

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