摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
目录 | 第7-11页 |
第一章 绪论 | 第11-20页 |
1.1 引言 | 第11-12页 |
1.2 GaN基LED的发展及现状 | 第12-16页 |
1.2.1 GaN基LED的发展历程 | 第12-15页 |
1.2.2 GaN基LED的发展现状 | 第15-16页 |
1.3 GaN基LED待解决难题 | 第16-17页 |
1.4 论文研究方向与意义 | 第17-18页 |
参考文献 | 第18-20页 |
第二章 LED发光原理及光子晶体基本特性 | 第20-37页 |
2.1 GaN基LED的基本结构与发光原理 | 第20-22页 |
2.2 LED光电特性 | 第22-24页 |
2.2.1 光谱分布 | 第22页 |
2.2.2 发光强度 | 第22-23页 |
2.2.3 光照度 | 第23页 |
2.2.4 光输出功率 | 第23-24页 |
2.2.5 光电转换效率 | 第24页 |
2.3 LED光提取效率的相关研究 | 第24-29页 |
2.3.1 LED光提取效率问题 | 第24-26页 |
2.3.2 提高LED光提取效率的研究 | 第26-29页 |
2.4 光子晶体基本概念 | 第29-31页 |
2.5 光子晶体主要特性与应用 | 第31-33页 |
2.5.1 光子禁带 | 第31-32页 |
2.5.2 抑制自发辐射 | 第32-33页 |
2.5.3 光子局域化 | 第33页 |
2.6 光子晶体LED工作原理 | 第33-34页 |
2.7 本章小结 | 第34-35页 |
参考文献 | 第35-37页 |
第三章 二维光子晶体能带结构理论分析 | 第37-53页 |
3.1 光子晶体理论研究方法 | 第37-38页 |
3.1.1 传输矩阵法 | 第37页 |
3.1.2 平面波法 | 第37-38页 |
3.1.3 时域有限差分法 | 第38页 |
3.2 Rsoft软件模拟运算光子晶体能带结构 | 第38-50页 |
3.2.1 Rsoft软件模型建立 | 第39页 |
3.2.2 立方晶格孔状光子晶体结构 | 第39-42页 |
3.2.3 立方晶格介质柱光子晶体结构 | 第42-45页 |
3.2.4 六角晶格孔状光子晶体结构 | 第45-47页 |
3.2.5 六角晶格介质柱光子晶体结构 | 第47-49页 |
3.2.6 结果分析 | 第49-50页 |
3.3 文中所制备光子晶体能带结构计算 | 第50-51页 |
3.4 本章小结 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-53页 |
第四章 纳米压印技术制备光子晶体LED | 第53-72页 |
4.1 纳米压印技术 | 第53-55页 |
4.2 软模板紫外压印工艺流程 | 第55-56页 |
4.2.1 模板的选择与处理 | 第55页 |
4.2.2 软模板图形复制 | 第55页 |
4.2.3 压印胶形成掩膜 | 第55-56页 |
4.3 纳米压印技术制备表面二维光子晶体LED | 第56-63页 |
4.3.1 纳米压印制备p-GaN表面光子晶体结构 | 第57-61页 |
4.3.2 纳米压印制备ITO表面光子晶体结构 | 第61-63页 |
4.4 测试与分析 | 第63-70页 |
4.4.1 I-V特性分析 | 第64-65页 |
4.4.2 光谱分析 | 第65-67页 |
4.4.3 光强分析 | 第67-70页 |
4.5 本章小结 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-72页 |
第五章 总结与展望 | 第72-74页 |
5.1 研究成果总结 | 第72-73页 |
5.2 实验优化与前景展望 | 第73-74页 |
附录 硕士期间发表论文及申请专利 | 第74-75页 |
致谢 | 第75页 |