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发光二极管表面光子晶体的制备及能带计算

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
目录第7-11页
第一章 绪论第11-20页
    1.1 引言第11-12页
    1.2 GaN基LED的发展及现状第12-16页
        1.2.1 GaN基LED的发展历程第12-15页
        1.2.2 GaN基LED的发展现状第15-16页
    1.3 GaN基LED待解决难题第16-17页
    1.4 论文研究方向与意义第17-18页
    参考文献第18-20页
第二章 LED发光原理及光子晶体基本特性第20-37页
    2.1 GaN基LED的基本结构与发光原理第20-22页
    2.2 LED光电特性第22-24页
        2.2.1 光谱分布第22页
        2.2.2 发光强度第22-23页
        2.2.3 光照度第23页
        2.2.4 光输出功率第23-24页
        2.2.5 光电转换效率第24页
    2.3 LED光提取效率的相关研究第24-29页
        2.3.1 LED光提取效率问题第24-26页
        2.3.2 提高LED光提取效率的研究第26-29页
    2.4 光子晶体基本概念第29-31页
    2.5 光子晶体主要特性与应用第31-33页
        2.5.1 光子禁带第31-32页
        2.5.2 抑制自发辐射第32-33页
        2.5.3 光子局域化第33页
    2.6 光子晶体LED工作原理第33-34页
    2.7 本章小结第34-35页
    参考文献第35-37页
第三章 二维光子晶体能带结构理论分析第37-53页
    3.1 光子晶体理论研究方法第37-38页
        3.1.1 传输矩阵法第37页
        3.1.2 平面波法第37-38页
        3.1.3 时域有限差分法第38页
    3.2 Rsoft软件模拟运算光子晶体能带结构第38-50页
        3.2.1 Rsoft软件模型建立第39页
        3.2.2 立方晶格孔状光子晶体结构第39-42页
        3.2.3 立方晶格介质柱光子晶体结构第42-45页
        3.2.4 六角晶格孔状光子晶体结构第45-47页
        3.2.5 六角晶格介质柱光子晶体结构第47-49页
        3.2.6 结果分析第49-50页
    3.3 文中所制备光子晶体能带结构计算第50-51页
    3.4 本章小结第51-52页
    参考文献第52-53页
第四章 纳米压印技术制备光子晶体LED第53-72页
    4.1 纳米压印技术第53-55页
    4.2 软模板紫外压印工艺流程第55-56页
        4.2.1 模板的选择与处理第55页
        4.2.2 软模板图形复制第55页
        4.2.3 压印胶形成掩膜第55-56页
    4.3 纳米压印技术制备表面二维光子晶体LED第56-63页
        4.3.1 纳米压印制备p-GaN表面光子晶体结构第57-61页
        4.3.2 纳米压印制备ITO表面光子晶体结构第61-63页
    4.4 测试与分析第63-70页
        4.4.1 I-V特性分析第64-65页
        4.4.2 光谱分析第65-67页
        4.4.3 光强分析第67-70页
    4.5 本章小结第70-71页
    参考文献第71-72页
第五章 总结与展望第72-74页
    5.1 研究成果总结第72-73页
    5.2 实验优化与前景展望第73-74页
附录 硕士期间发表论文及申请专利第74-75页
致谢第75页

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