| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| 1.1 VLSI 的发展 | 第6-8页 |
| 1.2 集成电路的可靠性研究 | 第8-12页 |
| 第二章 MOS 器件热载流子效应的研究现状 | 第12-18页 |
| 2.1 MOS 器件热载流子效应的研究背景 | 第12-13页 |
| 2.2 热载流子效应的测量技术 | 第13-18页 |
| 2.2.1 电荷泵（CP）测量技术及实验设置 | 第14-15页 |
| 2.2.2 电流-电压(DCIV)特性测试技术及实验设置 | 第15-18页 |
| 第三章 热载流子退化特性和退化物理机制 | 第18-30页 |
| 3.1 热载流子效应的退化特性 | 第18-23页 |
| 3.1.1 MOSFET 中热载流子的种类 | 第18-21页 |
| 3.1.2 n 沟道 MOS 器件的退化特性 | 第21-22页 |
| 3.1.3 p 沟道 MOS 器件的退化特性 | 第22-23页 |
| 3.1.4 动态应力下的退化 | 第23页 |
| 3.2 热载流子应力下缺陷产生物理机制 | 第23-28页 |
| 3.2.1 界面陷阱产生机制 | 第24-27页 |
| 3.2.2 氧化层电荷产生机制 | 第27-28页 |
| 3.3 HCI 退化的温度效应 | 第28-29页 |
| 3.4 MOS 器件热载流子应力下的栅介质可靠性 | 第29-30页 |
| 第四章 不同加工过程对热载流子注入效应的影响 | 第30-40页 |
| 4.1 栅氧化层工艺对HCI 效应的影响 | 第30-34页 |
| 4.1.1 氧化工艺流程 | 第30-32页 |
| 4.1.2 不同氧化工艺流程的HCI 效应 | 第32-34页 |
| 4.2 LDD 对热载流子效应的影响 | 第34-40页 |
| 4.2.1 LDD 工艺 | 第34-36页 |
| 4.2.2 LDD MOS 器件模拟及热载流子效应分析 | 第36-40页 |
| 第五章 结论 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-44页 |
| 致谢 | 第44页 |