| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第6-12页 |
| 1.1 LED发光二极管简介 | 第6-8页 |
| 1.1.1 GaN材料基本性质介绍 | 第6-8页 |
| 1.2 在N型GAN上制作欧姆接触的意义和研究现状 | 第8-12页 |
| 1.2.1 研究N型GaN欧姆接触的意义 | 第8-9页 |
| 1.2.2 N型GaN欧姆接触的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.2.3 本研究的目的和意义 | 第10-12页 |
| 第二章 传输线模型(TLM)方法的简介 | 第12-24页 |
| 2.1 金属—半导体接触的基本原理 | 第12-17页 |
| 2.1.1 金属与半导体的功函数 | 第13-14页 |
| 2.1.2 金属与半导体接触 | 第14-17页 |
| 2.2 传输线模型原理简介 | 第17-20页 |
| 2.3 测试样品的制作工艺 | 第20-24页 |
| 第三章 用TLM测量N型GAN的欧姆接触 | 第24-38页 |
| 3.1 欧姆接触 | 第24-29页 |
| 3.1.1 欧姆接触的评价标准 | 第25-26页 |
| 3.1.2 欧姆接触的形成机制 | 第26-28页 |
| 3.1.3 欧姆接触电极的制作要点 | 第28-29页 |
| 3.2 N型GAN的欧姆接触电极的制作和测量 | 第29-32页 |
| 3.2.1 N型GaN的欧姆接触电极的制作 | 第30-32页 |
| 3.2.2 测试样品的制作 | 第32页 |
| 3.3 研究结果分析 | 第32-38页 |
| 第四章 结论和展望 | 第38-40页 |
| 4.1 论文结论 | 第38页 |
| 4.2 工作展望 | 第38-40页 |
| 致谢 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-44页 |