| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| 1.1 半导体发光二极管（LED）简介 | 第7-8页 |
| 1.2 A1GaInP 基发光二极管简介 | 第8-11页 |
| 1.2.1 A1GaInP 材料简介及发展 | 第8-9页 |
| 1.2.2 AlGaInP 基四元 LED 结构 | 第9-11页 |
| 1.3 本课题国内外研究现状 | 第11-13页 |
| 1.3.1 透明导电氧化物薄膜简介 | 第11页 |
| 1.3.2 ITO 薄膜在 LED 上的应用 | 第11-13页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 ITO 薄膜特性及制备方法 | 第15-25页 |
| 2.1 ITO 透明导电薄膜的结构与特性 | 第15-16页 |
| 2.1.1 ITO 薄膜结构 | 第15-16页 |
| 2.1.2 ITO 薄膜基本特性 | 第16页 |
| 2.2 ITO 透明导电薄膜的光电特性 | 第16-21页 |
| 2.2.1 ITO 薄膜的电学性能 | 第16-19页 |
| 2.2.2 ITO 薄膜的光学特性 | 第19-21页 |
| 2.3 ITO 透明导电薄膜的制备方法 | 第21-25页 |
| 2.3.1 化学气相沉积法 | 第21-22页 |
| 2.3.2 磁控溅射法 | 第22-23页 |
| 2.3.3 真空蒸发法 | 第23-24页 |
| 2.3.4 磁控溅射和电子束蒸发制备 ITO 薄膜的结构对比 | 第24-25页 |
| 第三章 热退火对电子束蒸发 ITO 薄膜的影响 | 第25-37页 |
| 3.1 ITO 薄膜特性的测量 | 第25-27页 |
| 3.1.1 方阻及电阻率的测量 | 第25-26页 |
| 3.1.2 可见光透过率光谱 | 第26-27页 |
| 3.2 电子束蒸发 ITO 薄膜制备工艺 | 第27-30页 |
| 3.2.1 基板温度 | 第27-28页 |
| 3.2.2 蒸发速率 | 第28-30页 |
| 3.2.3 通氧量 | 第30页 |
| 3.3 热处理对 ITO 薄膜的影响 | 第30-35页 |
| 3.3.1 ITO 薄膜本身的 RTA 特性 | 第31页 |
| 3.3.2 电学特性的影响 | 第31-33页 |
| 3.3.3 光学特性的影响 | 第33-35页 |
| 3.4 小结 | 第35-37页 |
| 第四章 应用 ITO 薄膜的四元 LED 芯片 | 第37-49页 |
| 4.1 应用 ITO 的四元 LED 芯片外延结构及制备流程 | 第37-39页 |
| 4.1.1 四元 LED 外延片结构 | 第37-38页 |
| 4.1.2 应用 ITO 的四元 LED 芯片制备流程 | 第38-39页 |
| 4.2 ITO 层对 LED 芯片光电性能提高 | 第39-40页 |
| 4.3 四元 LED 中 ITO 层的光学设计因素 | 第40-44页 |
| 4.4 热处理工艺对于带有 ITO 的 LED 芯片性能影响 | 第44-48页 |
| 4.4.1 实验 | 第44-46页 |
| 4.4.2 结果分析 | 第46-48页 |
| 4.5 小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结论 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
