| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 引言 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 NiO的结构与性能 | 第8-9页 |
| 1.1.1 NiO的晶体结构 | 第8页 |
| 1.1.2 NiO的电学性能 | 第8-9页 |
| 1.1.3 NiO的电致变色性能 | 第9页 |
| 1.1.4 NiO的气敏性能 | 第9页 |
| 1.2 NiO的应用 | 第9-12页 |
| 1.2.1 气敏传感器 | 第10页 |
| 1.2.2 透明导电氧化物薄膜 | 第10页 |
| 1.2.3 超级电容器 | 第10-11页 |
| 1.2.4 半导体光电器件 | 第11-12页 |
| 1.3 本文的主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第二章 NiO薄膜的制备与表征方法 | 第13-21页 |
| 2.1 NiO薄膜的制备方法 | 第13-17页 |
| 2.1.1 溶胶凝胶法(Sol-Gel) | 第13-14页 |
| 2.1.2 脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition) | 第14页 |
| 2.1.3 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy) | 第14-15页 |
| 2.1.4 射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering) | 第15-17页 |
| 2.2 NiO薄膜的表征方法 | 第17-21页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第17页 |
| 2.2.2 原子力显微镜(AFM) | 第17-18页 |
| 2.2.3 紫外-可见分光光度计(UV-VIS) | 第18-19页 |
| 2.2.4 四探针测试仪 | 第19-20页 |
| 2.2.5 半导体参数测试仪 | 第20-21页 |
| 第三章 NiO薄膜的制备与性能表征 | 第21-42页 |
| 3.1 NiO薄膜的制备仪器 | 第21-22页 |
| 3.2 NiO溅射靶材的制备 | 第22页 |
| 3.3 NiO薄膜的制备 | 第22-23页 |
| 3.3.1 衬底的清理 | 第22-23页 |
| 3.3.2 磁控溅射系统的操作 | 第23页 |
| 3.4 制备温度对磁控溅射法制备的NiO薄膜的影响 | 第23-29页 |
| 3.4.1 制备温度对NiO薄膜晶体结构的影响 | 第24-25页 |
| 3.4.2 制备温度对NiO薄膜表面形貌的影响 | 第25-27页 |
| 3.4.3 制备温度对NiO薄膜光学性能的影响 | 第27-28页 |
| 3.4.4 制备温度对NiO薄膜电学性能的影响 | 第28-29页 |
| 3.4.5 本节小结 | 第29页 |
| 3.5 氩氧比对磁控溅射法制备的NiO薄膜的影响 | 第29-33页 |
| 3.5.1 氩氧比对NiO薄膜晶体结构的影响 | 第30-31页 |
| 3.5.2 氩氧比对NiO薄膜表面形貌的影响 | 第31-32页 |
| 3.5.3 氩氧比对NiO薄膜光学性能的影响 | 第32-33页 |
| 3.5.4 本节小结 | 第33页 |
| 3.6 薄膜厚度对磁控溅射法制备的NiO薄膜的影响 | 第33-37页 |
| 3.6.1 薄膜厚度对NiO薄膜晶体结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.6.2 薄膜厚度对NiO薄膜表面结构的影响 | 第35-36页 |
| 3.6.3 薄膜厚度对NiO薄膜光学性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.6.4 本节小结 | 第37页 |
| 3.7 Li掺杂对NiO薄膜的影响 | 第37-42页 |
| 3.7.1 制备温度对Li掺杂NiO薄膜晶体结构的影响 | 第38-39页 |
| 3.7.2 制备温度对Li掺杂NiO薄膜表面结构的影响 | 第39-40页 |
| 3.7.3 制备温度对Li掺杂NiO薄膜光学性能的影响 | 第40-41页 |
| 3.7.4 制备温度对Li掺杂NiO薄膜电学性能的影响 | 第41-42页 |
| 第四章 NiO/ZnO薄膜二极管的制备与性能表征 | 第42-55页 |
| 4.1 NiO/ZnO薄膜二极管的制备工艺 | 第42-47页 |
| 4.1.1 衬底的处理 | 第42-43页 |
| 4.1.2 ZnO缓冲层的制备 | 第43页 |
| 4.1.3 ZnO薄膜的制备 | 第43-46页 |
| 4.1.4 NiO薄膜的制备 | 第46页 |
| 4.1.5 电极的制备 | 第46-47页 |
| 4.2 NiO薄膜的制备温度对NiO/ZnO薄膜二极管的影响 | 第47-50页 |
| 4.3 NiO薄膜的制备气氛对NiO/ZnO薄膜二极管的影响 | 第50-51页 |
| 4.4 缓冲层对NiO/ZnO薄膜二极管的影响 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 以Al_2O_3为介电层的InGaZnO薄膜晶体管的制备与表征 | 第55-70页 |
| 5.1 氧气压对Al_2O_3薄膜的影响 | 第55-60页 |
| 5.1.1 氧气压对Al_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第56-57页 |
| 5.1.2 氧气压对Al_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第57-58页 |
| 5.1.3 氧气压对Al_2O_3薄膜电学性能的影响 | 第58-60页 |
| 5.2 退火温度对Al_2O_3薄膜的影响 | 第60-62页 |
| 5.2.1 退火温度对Al_2O_3薄膜晶体结构的影响 | 第61页 |
| 5.2.2 退火温度对Al_2O_3薄膜表面形貌的影响 | 第61-62页 |
| 5.2.3 退火温度对Al_2O_3薄膜电学性能的影响 | 第62页 |
| 5.3 以Al_2O_3为介电层的InGaZnO TFT的制备与表征 | 第62-70页 |
| 5.3.1 以Al_2O_3为介电层的InGaZnO薄膜晶体管的制备流程 | 第62-64页 |
| 5.3.2 Al_2O_3薄膜的退火温度对InGaZnO薄膜晶体管的电学性能的影响 | 第64-65页 |
| 5.3.3 堆栈结构介电层对InGaZnO薄膜晶体管的电学性能的影响 | 第65-70页 |
| 总结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
