首页--数理科学和化学论文--物理学论文--固体物理学论文--薄膜物理学论文--薄膜的生长、结构和外延论文

金属氧化物半导体相关器件的制备与表征

摘要第2-3页
Abstract第3页
引言第6-8页
第一章 绪论第8-13页
    1.1 NiO的结构与性能第8-9页
        1.1.1 NiO的晶体结构第8页
        1.1.2 NiO的电学性能第8-9页
        1.1.3 NiO的电致变色性能第9页
        1.1.4 NiO的气敏性能第9页
    1.2 NiO的应用第9-12页
        1.2.1 气敏传感器第10页
        1.2.2 透明导电氧化物薄膜第10页
        1.2.3 超级电容器第10-11页
        1.2.4 半导体光电器件第11-12页
    1.3 本文的主要研究内容第12-13页
第二章 NiO薄膜的制备与表征方法第13-21页
    2.1 NiO薄膜的制备方法第13-17页
        2.1.1 溶胶凝胶法(Sol-Gel)第13-14页
        2.1.2 脉冲激光沉积法(Pulsed Laser Deposition)第14页
        2.1.3 分子束外延(Molecular Beam Epitaxy)第14-15页
        2.1.4 射频磁控溅射(RF Magnetron Sputtering)第15-17页
    2.2 NiO薄膜的表征方法第17-21页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)第17页
        2.2.2 原子力显微镜(AFM)第17-18页
        2.2.3 紫外-可见分光光度计(UV-VIS)第18-19页
        2.2.4 四探针测试仪第19-20页
        2.2.5 半导体参数测试仪第20-21页
第三章 NiO薄膜的制备与性能表征第21-42页
    3.1 NiO薄膜的制备仪器第21-22页
    3.2 NiO溅射靶材的制备第22页
    3.3 NiO薄膜的制备第22-23页
        3.3.1 衬底的清理第22-23页
        3.3.2 磁控溅射系统的操作第23页
    3.4 制备温度对磁控溅射法制备的NiO薄膜的影响第23-29页
        3.4.1 制备温度对NiO薄膜晶体结构的影响第24-25页
        3.4.2 制备温度对NiO薄膜表面形貌的影响第25-27页
        3.4.3 制备温度对NiO薄膜光学性能的影响第27-28页
        3.4.4 制备温度对NiO薄膜电学性能的影响第28-29页
        3.4.5 本节小结第29页
    3.5 氩氧比对磁控溅射法制备的NiO薄膜的影响第29-33页
        3.5.1 氩氧比对NiO薄膜晶体结构的影响第30-31页
        3.5.2 氩氧比对NiO薄膜表面形貌的影响第31-32页
        3.5.3 氩氧比对NiO薄膜光学性能的影响第32-33页
        3.5.4 本节小结第33页
    3.6 薄膜厚度对磁控溅射法制备的NiO薄膜的影响第33-37页
        3.6.1 薄膜厚度对NiO薄膜晶体结构的影响第34-35页
        3.6.2 薄膜厚度对NiO薄膜表面结构的影响第35-36页
        3.6.3 薄膜厚度对NiO薄膜光学性能的影响第36-37页
        3.6.4 本节小结第37页
    3.7 Li掺杂对NiO薄膜的影响第37-42页
        3.7.1 制备温度对Li掺杂NiO薄膜晶体结构的影响第38-39页
        3.7.2 制备温度对Li掺杂NiO薄膜表面结构的影响第39-40页
        3.7.3 制备温度对Li掺杂NiO薄膜光学性能的影响第40-41页
        3.7.4 制备温度对Li掺杂NiO薄膜电学性能的影响第41-42页
第四章 NiO/ZnO薄膜二极管的制备与性能表征第42-55页
    4.1 NiO/ZnO薄膜二极管的制备工艺第42-47页
        4.1.1 衬底的处理第42-43页
        4.1.2 ZnO缓冲层的制备第43页
        4.1.3 ZnO薄膜的制备第43-46页
        4.1.4 NiO薄膜的制备第46页
        4.1.5 电极的制备第46-47页
    4.2 NiO薄膜的制备温度对NiO/ZnO薄膜二极管的影响第47-50页
    4.3 NiO薄膜的制备气氛对NiO/ZnO薄膜二极管的影响第50-51页
    4.4 缓冲层对NiO/ZnO薄膜二极管的影响第51-53页
    4.5 本章小结第53-55页
第五章 以Al_2O_3为介电层的InGaZnO薄膜晶体管的制备与表征第55-70页
    5.1 氧气压对Al_2O_3薄膜的影响第55-60页
        5.1.1 氧气压对Al_2O_3薄膜晶体结构的影响第56-57页
        5.1.2 氧气压对Al_2O_3薄膜表面形貌的影响第57-58页
        5.1.3 氧气压对Al_2O_3薄膜电学性能的影响第58-60页
    5.2 退火温度对Al_2O_3薄膜的影响第60-62页
        5.2.1 退火温度对Al_2O_3薄膜晶体结构的影响第61页
        5.2.2 退火温度对Al_2O_3薄膜表面形貌的影响第61-62页
        5.2.3 退火温度对Al_2O_3薄膜电学性能的影响第62页
    5.3 以Al_2O_3为介电层的InGaZnO TFT的制备与表征第62-70页
        5.3.1 以Al_2O_3为介电层的InGaZnO薄膜晶体管的制备流程第62-64页
        5.3.2 Al_2O_3薄膜的退火温度对InGaZnO薄膜晶体管的电学性能的影响第64-65页
        5.3.3 堆栈结构介电层对InGaZnO薄膜晶体管的电学性能的影响第65-70页
总结第70-72页
参考文献第72-76页
攻读学位期间的研究成果第76-77页
致谢第77-78页

论文共78页,点击 下载论文
上一篇:FAAS法对VB1及HPLC法对VB2、VB6和烟酰胺的定量分析应用研究
下一篇:项目团队认同的建立及对工作—家庭冲突归因的影响研究