| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1. 绪论 | 第12-15页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 论文的背景和意义 | 第12-14页 |
| 1.2.1 研究的背景 | 第12-13页 |
| 1.2.2 研究的意义 | 第13-14页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第14-15页 |
| 2. LTCC工艺技术 | 第15-31页 |
| 2.1 概述 | 第15-18页 |
| 2.2 低温陶瓷共烧(LTCC)基板工艺技术 | 第18-24页 |
| 2.2.1 低温陶瓷共烧(LTCC)多层基板结构 | 第18页 |
| 2.2.2 制作LTCC基板的工艺流程 | 第18-21页 |
| 2.2.3 LTCC基板材料系统 | 第21-24页 |
| 2.2.3.1 生瓷材料系统 | 第21-22页 |
| 2.2.3.2 导体浆料 | 第22-23页 |
| 2.2.3.3 厚膜多层导体浆料与介质浆料 | 第23页 |
| 2.2.3.4 电阻浆料 | 第23-24页 |
| 2.3 LTCC多层基板的设计 | 第24-29页 |
| 2.3.1 多层基板的厚度设计 | 第24页 |
| 2.3.2 多层基板的通孔设计 | 第24-25页 |
| 2.3.3 共烧导体设计 | 第25-26页 |
| 2.3.3.1 共烧导体设计准则 | 第25页 |
| 2.3.3.2 内、外部信号线 | 第25页 |
| 2.3.3.3 地平面和电源平面 | 第25-26页 |
| 2.3.3.4 内层不同导体搭接界面 | 第26页 |
| 2.3.4 后烧导体设计 | 第26页 |
| 2.3.5 电阻体设计 | 第26-28页 |
| 2.3.5.1 电阻设计 | 第26-28页 |
| 2.3.5.2 电阻体覆盖保护层 | 第28页 |
| 2.3.6 腔体 | 第28-29页 |
| 2.4 版图设计数据的转换 | 第29页 |
| 2.5 需要解决或提升的关键技术 | 第29-31页 |
| 3. 平衡式低噪声放大器 | 第31-35页 |
| 3.1 基本的低噪声放大器网络 | 第31页 |
| 3.2 低噪声放大器的主要技术指标 | 第31-33页 |
| 3.2.1 噪声系数NF | 第31页 |
| 3.2.2 放大器增益 | 第31-32页 |
| 3.2.3 输入输出的驻波比 | 第32页 |
| 3.2.4 稳定性 | 第32-33页 |
| 3.2.5 放大器的动态范围(IIP3) | 第33页 |
| 3.3 平衡式低噪声放大器 | 第33-35页 |
| 4. 平衡式低噪声放大器设计 | 第35-43页 |
| 4.1 系统设计 | 第35-38页 |
| 4.1.1 低噪放设计流程图 | 第35页 |
| 4.1.2 电路设计说明和指标 | 第35-36页 |
| 4.1.3 电路结构和晶体管的选择 | 第36-37页 |
| 4.1.4 平衡器的选择 | 第37页 |
| 4.1.5 设计软件工具 | 第37-38页 |
| 4.1.6 基板的选择 | 第38页 |
| 4.2 电路设计 | 第38-41页 |
| 4.2.1 传输线的设计 | 第38页 |
| 4.2.2 偏置电路的设计 | 第38-39页 |
| 4.2.3 匹配电路的设计 | 第39-40页 |
| 4.2.4 稳定性的设计 | 第40-41页 |
| 4.3 不同结构的接地金属面对LTCC组件性能影响 | 第41-43页 |
| 5. 设计结果 | 第43-50页 |
| 5.1 电路拓扑图 | 第43-46页 |
| 5.1.1 LTCC工艺的平衡放大器电路拓朴图 | 第43页 |
| 5.1.2 单路LNA电路拓朴图 | 第43-46页 |
| 5.1.3 LNA电路图 | 第46页 |
| 5.1.4 LNA版图 | 第46页 |
| 5.2 仿真结果 | 第46-47页 |
| 5.3 测试结果 | 第47-48页 |
| 5.4 原因分析 | 第48-49页 |
| 5.5 后续工作 | 第49-50页 |
| 6 总结和展望 | 第50-52页 |
| 6.1 对本课题的总结 | 第50页 |
| 6.2 课题的展望 | 第50页 |
| 6.3 总结 | 第50-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-55页 |