| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 课题研究的背景 | 第10页 |
| 1.2 课题研究的目的、意义 | 第10-11页 |
| 1.3 国内外研究现状 | 第11-14页 |
| 1.4 本文主要内容 | 第14-16页 |
| 第2章 强冲击产生等离子体概要 | 第16-22页 |
| 2.1 强冲击的简介 | 第16-17页 |
| 2.1.1 强冲击的概念 | 第16页 |
| 2.1.2 强冲击的电磁效应研究 | 第16-17页 |
| 2.2 等离子体的概念 | 第17-19页 |
| 2.2.1 等离子体的定义 | 第17-18页 |
| 2.2.2 等离子体的一般性质 | 第18-19页 |
| 2.3 强冲击产生等离子体 | 第19-21页 |
| 2.4 小结 | 第21-22页 |
| 第3章 实验系统的建立 | 第22-32页 |
| 3.1 实验总体方案 | 第22-23页 |
| 3.2 弹丸加载系统 | 第23-24页 |
| 3.3 磁测速系统 | 第24-26页 |
| 3.4 Langmuir三探针诊断系统 | 第26-30页 |
| 3.4.1 Langmuir三探针诊断电路 | 第26-28页 |
| 3.4.2 Langmuir三探针测量原理 | 第28-30页 |
| 3.5 逻辑芯片信号采集系统 | 第30-31页 |
| 3.6 小结 | 第31-32页 |
| 第4章 实验结果与分析 | 第32-61页 |
| 4.1 强冲击产生等离子体特征参量 | 第32-36页 |
| 4.2 等离子体对逻辑芯片的干扰 | 第36-60页 |
| 4.2.1 对TTL电平信号CD54ACT32型芯片干扰分析 | 第38-47页 |
| 4.2.2 对CMOS电平信号CD74HC4075型芯片干扰分析 | 第47-57页 |
| 4.2.3 对TTL电平信号SN54AHCT08型芯片干扰分析 | 第57-60页 |
| 4.3 小结 | 第60-61页 |
| 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和获得的科研成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附录 | 第69-71页 |
