| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的发展历程 | 第12-21页 |
| 1.3 薄膜晶体管的应用 | 第21-24页 |
| 1.4 本论文的工作 | 第24-26页 |
| 第二章 薄膜晶体管结构、工作原理、基本参数和制备工艺 | 第26-38页 |
| 2.1 薄膜晶体管结构 | 第26-27页 |
| 2.2 薄膜晶体管工作原理 | 第27-29页 |
| 2.3 薄膜晶体管中的电荷传输机理 | 第29-32页 |
| 2.3.1 金属氧化物半导体载流子的传输模型 | 第29-30页 |
| 2.3.2 有机半导体载流子的传输模型 | 第30-32页 |
| 2.4 薄膜晶体管基本参数 | 第32-36页 |
| 2.4.1 薄膜晶体管沟道电流公式的推导 | 第32-34页 |
| 2.4.2 场效应迁移率 | 第34-35页 |
| 2.4.3 电流开关比 | 第35页 |
| 2.4.4 阈值电压 | 第35页 |
| 2.4.5 亚阈值斜率 | 第35-36页 |
| 2.5 薄膜晶体管的制备工艺 | 第36-37页 |
| 2.5.1 氧化物薄膜晶体管的制备工艺 | 第36页 |
| 2.5.2 有机薄膜晶体管的制备工艺 | 第36-37页 |
| 2.6 本章小结 | 第37-38页 |
| 第三章 绝缘层修饰对有机薄膜晶体管性能的影响 | 第38-50页 |
| 3.1 引言 | 第38-40页 |
| 3.2 实验 | 第40-48页 |
| 3.2.1 cytop修饰氧化铝绝缘层 | 第40-44页 |
| 3.2.2 磷酸自组装单分子层修饰氧化铝绝缘层 | 第44-48页 |
| 3.3 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 柔性有机薄膜晶体管 | 第50-56页 |
| 4.1 引言 | 第50页 |
| 4.2 柔性衬底 | 第50-51页 |
| 4.3 器件制备 | 第51-52页 |
| 4.4 器件性能 | 第52-54页 |
| 4.5 本章小结 | 第54-56页 |
| 第五章 基于有机薄膜晶体管的存储器的研究 | 第56-64页 |
| 5.1 有机薄膜晶体管存储器简介 | 第56-57页 |
| 5.2 有机薄膜晶体管存储器结构与工作原理 | 第57-58页 |
| 5.3 有机薄膜晶体管存储器的常见制备工艺 | 第58-59页 |
| 5.3.1 纳米浮栅即金属纳米颗粒的制备工艺 | 第59页 |
| 5.3.2 隧穿绝缘层的制备工艺 | 第59页 |
| 5.4 器件制备 | 第59-61页 |
| 5.5 器件性能 | 第61-63页 |
| 5.6 本章小结 | 第63-64页 |
| 第六章 基于有机无机异质结的双极型薄膜晶体管的研究 | 第64-82页 |
| 6.1 引言 | 第64页 |
| 6.2 双极型薄膜晶体管的工作原理 | 第64-66页 |
| 6.3 双极型薄膜晶体管的制备 | 第66-81页 |
| 6.3.1 低温图形化InO_x薄膜的制备 | 第66-68页 |
| 6.3.2 基于InO_x/pentacene异质结结构的双极型晶体管 | 第68-73页 |
| 6.3.3 基于InO_x/FBT-Th_4(1,4)异质结结构的双极型晶体管 | 第73-81页 |
| 6.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 第七章 基于有机无机半导体的双极型薄膜晶体管在反相器中的应用 | 第82-100页 |
| 7.1 引言 | 第82-83页 |
| 7.2 反相器的基本参数 | 第83-84页 |
| 7.3 反相器的工作原理 | 第84-87页 |
| 7.4 反相器的制备 | 第87-90页 |
| 7.5 反相器反转点的调控 | 第90-99页 |
| 7.6 本章小结 | 第99-100页 |
| 第八章 发光晶体管的初步探索与展望 | 第100-109页 |
| 8.1 引言 | 第100-102页 |
| 8.2 有机发光晶体管的种类及工作原理 | 第102-104页 |
| 8.3 基于有机无机异质结的多层结构QLET的制备与性能测试 | 第104-107页 |
| 8.4 本章小结 | 第107-109页 |
| 结论 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-124页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第124-127页 |
| 致谢 | 第127-128页 |
| 附件 | 第128页 |
