| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 前言 | 第11页 |
| 1.2 铝及铝合金表面处理常见工艺概述 | 第11-18页 |
| 1.2.1 阳极氧化 | 第12-13页 |
| 1.2.2 化学转化处理 | 第13页 |
| 1.2.3 电镀处理 | 第13-14页 |
| 1.2.4 有机物涂装处理 | 第14-15页 |
| 1.2.5 磁控溅射 | 第15页 |
| 1.2.6 微弧氧化处理 | 第15-18页 |
| 1.3 高硅铝合金微弧氧化的研究进展 | 第18-22页 |
| 1.4 本课题研究意义和内容 | 第22-24页 |
| 1.4.1 本课题研究的意义 | 第22-23页 |
| 1.4.2 本课题研究的内容 | 第23-24页 |
| 第二章 实验材料设备与实验方法 | 第24-32页 |
| 2.1 课题研究方案 | 第24-25页 |
| 2.2 实验材料与设备 | 第25-28页 |
| 2.2.1 基体材料制备 | 第25-26页 |
| 2.2.2 微弧氧化实验设备 | 第26-27页 |
| 2.2.3 其它实验设备 | 第27页 |
| 2.2.4 实验药品 | 第27-28页 |
| 2.3 实验方法 | 第28-29页 |
| 2.3.1 试样的前处理工艺 | 第28页 |
| 2.3.2 电解液的配制和冷却 | 第28-29页 |
| 2.4 微弧氧化膜层的制备 | 第29页 |
| 2.5 微弧氧化膜层的检测与表征 | 第29-32页 |
| 2.5.1 微弧氧化膜层厚度测定 | 第29页 |
| 2.5.2 表面粗糙度测定 | 第29-30页 |
| 2.5.3 膜层耐蚀性能分析 | 第30页 |
| 2.5.4 膜层耐磨性能测试 | 第30页 |
| 2.5.5 膜层显微形貌和元素组成分析 | 第30页 |
| 2.5.6 膜层相组成分析 | 第30-31页 |
| 2.5.7 膜层与基体结合力测试 | 第31-32页 |
| 第三章 低硅铝合金微弧氧化工艺临界硅含量的探讨 | 第32-46页 |
| 3.1 前言 | 第32页 |
| 3.2 低硅铝合金微弧氧化工艺的选取 | 第32-33页 |
| 3.3 硅含量对铝硅合金微弧氧化膜层生长过程和表面形貌的影响 | 第33-41页 |
| 3.3.1 微弧氧化膜层生长过程 | 第33-35页 |
| 3.3.2 膜层表面形貌和表面元素分布随基体中硅含量的变化 | 第35-40页 |
| 3.3.3 基体中硅含量对膜层厚度的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 硅含量对铝硅合金微弧氧化膜层性能的影响 | 第41-44页 |
| 3.4.1 膜层的耐腐蚀性能测试 | 第41-43页 |
| 3.4.2 膜层的耐磨损性能测试 | 第43-44页 |
| 3.5 本章总结 | 第44-46页 |
| 第四章 Al-7%Si合金恒压微弧氧化优化工艺研究 | 第46-64页 |
| 4.1 前言 | 第46页 |
| 4.2 正交实验设计 | 第46-48页 |
| 4.3 正交实验结果及分析 | 第48-54页 |
| 4.4 单因素实验 | 第54-56页 |
| 4.4.1 硅酸钠浓度对膜层耐腐蚀性能的影响 | 第54-55页 |
| 4.4.2 电压对膜层耐腐蚀性能的影响 | 第55-56页 |
| 4.5 成膜工艺的确定 | 第56页 |
| 4.6 最优微弧氧化工艺在更高硅含量铝合金基体上的应用 | 第56-60页 |
| 4.6.1 膜层表面形貌随基体中硅含量的变化 | 第57-59页 |
| 4.6.2 膜层厚度随基体中硅含量的变化 | 第59-60页 |
| 4.7 最优微弧氧化工艺临界硅含量的探讨 | 第60-62页 |
| 4.7.1 膜层耐蚀性能随基体中硅含量的变化 | 第60-61页 |
| 4.7.2 膜层耐磨性随基体中硅含量的变化 | 第61-62页 |
| 4.8 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 Al-7%Si合金复合式微弧氧化工艺研究 | 第64-87页 |
| 5.1 引言 | 第64页 |
| 5.2 复合式氧化模式下恒压氧化阶段处理时间对膜层的影响 | 第64-71页 |
| 5.2.1 不同恒压氧化时间下的电流-时间曲线和电压-时间曲线 | 第65-66页 |
| 5.2.2 不同恒压氧化时间下的膜层表面形貌 | 第66-68页 |
| 5.2.3 不同恒压氧化时间下膜层单位体积能耗和生长速度 | 第68-70页 |
| 5.2.4 不同恒压氧化时间对膜层中 α-Al_2O_3相含量的影响 | 第70-71页 |
| 5.2.5 复合式氧化模式下恒压氧化阶段处理时间的确定 | 第71页 |
| 5.3 复合式氧化模式下恒流氧化阶段电流密度大小对膜层的影响 | 第71-78页 |
| 5.3.1 不同电流密度下的电压-时间曲线和电流-时间曲线 | 第72-73页 |
| 5.3.2 恒流氧化阶段电流密度对膜层表面形貌的影响 | 第73-75页 |
| 5.3.3 电流密度对膜层单位体积能耗和生长速度的影响 | 第75-76页 |
| 5.3.4 电流密度对膜层中 α-Al_2O_3相含量的影响 | 第76-78页 |
| 5.3.5 复合式氧化模式下恒流氧化阶段电流密度的确定 | 第78页 |
| 5.4 复合氧化模式最佳成膜工艺方案 | 第78页 |
| 5.5 复合式微弧氧化工艺在更高硅含量铝合金基体上的应用 | 第78-80页 |
| 5.5.1 不同硅含量铝合金的膜层厚度 | 第79页 |
| 5.5.2 膜层形貌随基体中硅含量的变化 | 第79-80页 |
| 5.6 复合模式下微弧氧化工艺临界硅含量探讨 | 第80-85页 |
| 5.6.1 膜层的耐腐蚀性能测试 | 第80-82页 |
| 5.6.2 不同硅含量铝合金的耐磨损性能 | 第82-85页 |
| 5.6.3 膜层的结合力测试 | 第85页 |
| 5.7 本章小结 | 第85-87页 |
| 全文总结与展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-95页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第95-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 附录 | 第97页 |
