| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| 1.1 半导体辐射探测器的发展 | 第10-11页 |
| 1.2 辐射探测器分类 | 第11-16页 |
| 1.2.1 元素半导体探测器 | 第11-13页 |
| 1.2.2 化合物半导体探测器 | 第13-16页 |
| 1.3 碲锌镉体探测器发展趋势 | 第16-17页 |
| 1.4 目前碲锌镉材料的主要问题 | 第17-18页 |
| 1.5 快速响应探测器的研究意义 | 第18页 |
| 1.6 论文主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 碲锌镉探测器的理论基础 | 第21-32页 |
| 2.1 探测器的探测原理 | 第21-25页 |
| 2.1.1 光电效应 | 第22-23页 |
| 2.1.2 康普顿散射 | 第23-24页 |
| 2.1.3 电子对效应 | 第24-25页 |
| 2.2 探测器的探测效率 | 第25-26页 |
| 2.3 探测器输出的脉冲形状 | 第26-30页 |
| 2.3.1 面垒型探测器的脉冲形状 | 第27-28页 |
| 2.3.2 P-N结二极管的脉冲形状 | 第28页 |
| 2.3.3 P-I-N探测器的脉冲形状 | 第28-30页 |
| 2.4 碲锌镉探测器的时间响应特性 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 碲锌镉探测器时间响应特性的模拟研究 | 第32-57页 |
| 3.1 模拟的基本理论和方法 | 第33-42页 |
| 3.1.1 光子与电极材料的反应 | 第33页 |
| 3.1.2 光子引起电离的统计涨落 | 第33-35页 |
| 3.1.3 Hecht公式 | 第35-37页 |
| 3.1.4 计算 γ 光子的反应深度 | 第37-39页 |
| 3.1.5 反应产生电子空穴对数目N_0的计算 | 第39-42页 |
| 3.2 碲锌镉探测器对入射光子响应时间的模拟 | 第42-45页 |
| 3.3 共面栅极探测器的电极结构优化 | 第45-55页 |
| 3.3.1 栅宽和沟宽对探测器内部电场分布的影响 | 第46-49页 |
| 3.3.2 边缘效应对时间响应特性的影响 | 第49-52页 |
| 3.3.3 通过加宽次极栅优化电势分布 | 第52-54页 |
| 3.3.4 改变栅极参数优化电势分布 | 第54-55页 |
| 3.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 第四章 碲锌镉探测器的制备与响应时间测试 | 第57-66页 |
| 4.1 碲锌镉探测器器件的制备 | 第57-61页 |
| 4.1.1 晶片加工 | 第57-58页 |
| 4.1.2 表面处理 | 第58页 |
| 4.1.3 退火处理 | 第58-59页 |
| 4.1.4 电极的制备 | 第59-60页 |
| 4.1.5 MIS型与MS型碲锌镉器件漏电流的测试 | 第60-61页 |
| 4.1.6 器件封装 | 第61页 |
| 4.2 碲锌镉探测器响应时间的测试 | 第61-64页 |
| 4.2.1 退火时间对响应时间的影响 | 第62-63页 |
| 4.2.2 偏压对响应时间的影响 | 第63-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-66页 |
| 第五章 总结 | 第66-68页 |
| 5.1 本论文的工作总结 | 第66-67页 |
| 5.2 工作展望 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第73-74页 |