| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 注释表 | 第12-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| 1.1 半导体材料的性能特点及发展应用 | 第13-14页 |
| 1.2 单晶硅材料的特性 | 第14页 |
| 1.3 单晶硅材料的加工方法 | 第14-19页 |
| 1.3.1 超精密加工与超精密特种加工技术 | 第15页 |
| 1.3.2 带锯切割技术 | 第15-16页 |
| 1.3.3 外圆切割与内圆切割技术 | 第16-17页 |
| 1.3.4 金刚砂线切割与多线切割技术 | 第17-18页 |
| 1.3.5 电火花线切割加工技术 | 第18-19页 |
| 1.4 单晶硅材料的定晶向切割 | 第19-22页 |
| 1.4.1 单晶硅的晶体方向检测方法 | 第20页 |
| 1.4.2 单晶硅的早期定晶向切割方法 | 第20-21页 |
| 1.4.3 单晶硅的电火花定晶向线切割方法 | 第21-22页 |
| 1.5 研究的背景、意义及主要内容 | 第22-25页 |
| 1.5.1 课题研究的背景与意义 | 第22-23页 |
| 1.5.2 主要内容 | 第23-25页 |
| 第二章 试验系统及设备 | 第25-34页 |
| 2.1 定晶向单晶硅损伤层检测平台 | 第25-28页 |
| 2.1.1 单晶硅定量腐蚀减薄装置 | 第25页 |
| 2.1.2 定晶向单晶硅损伤层检测系统 | 第25-28页 |
| 2.2 定晶向单晶硅损伤层去除平台 | 第28-30页 |
| 2.2.1 单晶硅喷射电解装置 | 第28页 |
| 2.2.2 表面质量检测设备 | 第28-30页 |
| 2.3 试验机床及相关辅助检测设备 | 第30-33页 |
| 2.3.1 试验机床 | 第30-31页 |
| 2.3.2 相关辅助设备 | 第31-33页 |
| 2.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 第三章 电火花定晶向线切割后单晶硅加工损伤层厚度检测研究 | 第34-42页 |
| 3.1 单晶硅的加工损伤层厚度检测 | 第34-39页 |
| 3.1.1 单晶硅的加工损伤层 | 第34页 |
| 3.1.2 单晶硅的加工损伤层厚度检测原理 | 第34-36页 |
| 3.1.3 单晶硅的加工损伤层厚度检测试验及方法 | 第36-39页 |
| 3.2 加工脉宽对损伤层厚度的影响 | 第39-40页 |
| 3.3 电火花定晶向线切割中加工晶向对损伤层厚度的影响 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 电火花定晶向线切割后单晶硅的加工损伤研究 | 第42-65页 |
| 4.1 单晶硅损伤层结构及蚀除方式检测试验及方法 | 第42-43页 |
| 4.2 电火花线切割不同加工脉宽下单晶硅的蚀除方式 | 第43-47页 |
| 4.3 单晶硅的加工损伤结构划分 | 第47-48页 |
| 4.4 电火花定晶向线切割后单晶硅加工损伤研究在损伤层去除中的应用 | 第48-63页 |
| 4.4.1 单晶硅损伤层去除试验装置的搭建原理 | 第48-50页 |
| 4.4.2 单晶硅损伤层去除中各项试验参数的选择 | 第50-52页 |
| 4.4.3 单晶硅损伤层的去除速率研究 | 第52-55页 |
| 4.4.4 单晶硅损伤层去除前后晶向的研究 | 第55-56页 |
| 4.4.5 单晶硅损伤层去除前后表面质量的研究 | 第56-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-68页 |
| 5.1 完成的主要工作 | 第65-66页 |
| 5.2 后续研究及展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第72页 |
