半导体少子寿命测试仪的研究与改进
摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 引言 | 第12-20页 |
1.1 世界光伏行业发展背景 | 第12-14页 |
1.2 国内光伏行业的发展现状及趋势 | 第14-17页 |
1.3 硅片的检测 | 第17-20页 |
第二章 少子寿命的概念与测试方法 | 第20-34页 |
2.1 少子寿命的基本概念 | 第20-21页 |
2.2 非平衡载流子的产生 | 第21-22页 |
2.3 非平衡少数载流子的复合 | 第22-26页 |
2.3.1 直接复合 | 第23-24页 |
2.3.2 俄歇复合 | 第24-25页 |
2.3.3 通过陷阱的复合 | 第25页 |
2.3.4 表面复合 | 第25-26页 |
2.4 少子寿命的测量方法 | 第26-33页 |
2.4.1 光电导衰减法(PCD) | 第27-29页 |
2.4.2 表面光电压法(SPV) | 第29-31页 |
2.4.3 微波反射光电导衰减法 | 第31-33页 |
2.5 小结 | 第33-34页 |
第三章 微波光电导衰减法的原理 | 第34-45页 |
3.1 微波反射检测法的种类 | 第35-37页 |
3.2 微波反射光电导衰减法原理 | 第37-42页 |
3.2.1 微波衰减信号与光电导衰减信号的分析 | 第38-39页 |
3.2.2 指数衰减曲线 | 第39-42页 |
3.3 实验装置的搭建 | 第42-45页 |
3.3.1 激光光源 | 第43-44页 |
3.3.2 微波系统 | 第44页 |
3.3.3 示波器测量 | 第44-45页 |
第四章 少子寿命测试仪的改进 | 第45-53页 |
4.1 波导中的微波传输特性 | 第45-47页 |
4.1.1 理论分析 | 第45-46页 |
4.1.2 实验验证 | 第46-47页 |
4.2 魔 T 与环形器的对比分析 | 第47-50页 |
4.2.1 魔 T 的分析 | 第47-48页 |
4.2.2 环流器的分析 | 第48-50页 |
4.3 仪器改进和实验结果 | 第50-52页 |
4.3.1 仪器改进 | 第50页 |
4.3.2 实验对比结果 | 第50-52页 |
4.4 小结 | 第52-53页 |
第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
5.1 总结 | 第53页 |
5.2 展望 | 第53-55页 |
参考文献 | 第55-58页 |
攻读硕士学位期间参加的项目 | 第58-59页 |
致谢 | 第59页 |