| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-20页 |
| 1.1 引言 | 第16-17页 |
| 1.2 新型非挥发性存储器的发展历程 | 第17-18页 |
| 1.3 本文的选题意义以及各章的研究内容安排 | 第18-20页 |
| 第二章 RRAM概述 | 第20-32页 |
| 2.1 RRAM的基本工作原理 | 第20-24页 |
| 2.1.1 ECM型RRAM | 第22-23页 |
| 2.1.2 VCM型RRAM | 第23-24页 |
| 2.2 RRAM器件材料选择 | 第24-26页 |
| 2.2.1 钙钛矿氧化物 | 第24-25页 |
| 2.2.2 过渡金属氧化物 | 第25页 |
| 2.2.3 固态电解质 | 第25页 |
| 2.2.4 有机材料 | 第25-26页 |
| 2.3 阻变存储器电学参数 | 第26-30页 |
| 2.3.1 操作电压 | 第26页 |
| 2.3.2 高低阻值比 | 第26页 |
| 2.3.3 耐受性 | 第26-27页 |
| 2.3.4 多字节操作 | 第27-28页 |
| 2.3.5 保持力 | 第28页 |
| 2.3.6 均匀性 | 第28-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第三章 基于二元金属氧化物ZrO_2的阻变存储器 | 第32-52页 |
| 3.1 Cu/ZrO_2/Pt器件电学特性测试 | 第32-38页 |
| 3.2 导电细丝形成的微观机理分析 | 第38-42页 |
| 3.3 多值存储机制研究 | 第42-46页 |
| 3.4 纳米晶结构电场仿真 | 第46-49页 |
| 3.5 本章小结 | 第49-52页 |
| 第四章 基于二元金属氧化物TiO_2的RRAM器件工艺流程 | 第52-58页 |
| 4.1 薄膜制备工艺 | 第52-56页 |
| 4.1.1 氮化硅薄膜制备 | 第52-53页 |
| 4.1.2 金属薄膜制备工艺 | 第53-54页 |
| 4.1.3 二元金属氧化物薄膜制备 | 第54-56页 |
| 4.2 Au/TiO_2/Au器件工艺流程 | 第56-57页 |
| 4.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 空间辐照对RRAM器件的影响 | 第58-66页 |
| 5.1 空间自然辐射环境及辐射计量单位 | 第58页 |
| 5.2 辐照对电子器件的影响 | 第58-60页 |
| 5.2.1 单粒子事件效应 | 第59页 |
| 5.2.2 电离总剂量效应 | 第59-60页 |
| 5.3 辐照对VCM型阻变存储器的影响 | 第60-61页 |
| 5.4 模拟质子对Au/TiO_2/Au器件造成的损伤 | 第61-64页 |
| 5.5 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 6.1 当前工作总结 | 第66-67页 |
| 6.2 对未来工作的展望 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |
| 1.基本情况 | 第74页 |
| 2.教育背景 | 第74-75页 |