抗辐照SRAM的研究与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-18页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第14页 |
| 1.2 研究现状 | 第14-15页 |
| 1.3 论文结构 | 第15-18页 |
| 第二章 单粒子效应的理论基础 | 第18-26页 |
| 2.1 单粒子效应的分类 | 第18-20页 |
| 2.2 SRAM单粒子效应机理 | 第20-22页 |
| 2.3 器件单粒子效应的量化表征 | 第22页 |
| 2.4 加固方法 | 第22-25页 |
| 2.5 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 抗辐照SRAM单元设计 | 第26-34页 |
| 3.1 6管SRAM单元的设计和读写操作 | 第26-29页 |
| 3.2 新型抗辐照SRAM单元电路设计 | 第29-33页 |
| 3.2.1 SRAM单元读操作 | 第31页 |
| 3.2.2 SRAM单元写操作 | 第31页 |
| 3.2.3 SRAM单元读写操作仿真 | 第31-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 SRAM单元性能分析 | 第34-54页 |
| 4.1 SRAM单元面积 | 第34页 |
| 4.2 读操作速度 | 第34-36页 |
| 4.3 稳定性分析 | 第36-39页 |
| 4.4 SRAM单元功耗分析 | 第39-44页 |
| 4.5 抗辐照特性 | 第44-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 4KbSRAM设计与仿真验证 | 第54-66页 |
| 5.1 译码器 | 第54-56页 |
| 5.2 灵敏放大器 | 第56-59页 |
| 5.3 地址变化探测电路 | 第59-60页 |
| 5.4 其它外围电路 | 第60-62页 |
| 5.4.1 地址锁存器 | 第60-61页 |
| 5.4.2 驱动器 | 第61-62页 |
| 5.5 4Kb SRAM的结构与仿真验证 | 第62-64页 |
| 5.5.1 SRAM写过程 | 第62-63页 |
| 5.5.2 SRAM读过程 | 第63页 |
| 5.5.3 4KbSRAM的整体仿真 | 第63-64页 |
| 5.6 本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |
