基于SOI的抗辐照结构研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-16页 |
| 1.1 SOI技术简介 | 第10-11页 |
| 1.2 抗辐照技术 | 第11-14页 |
| 1.2.1 辐射环境 | 第11-13页 |
| 1.2.2 半导体辐射效应 | 第13页 |
| 1.2.3 抗辐照加固技术 | 第13-14页 |
| 1.3 本文研究意义和主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 SOI器件物理及辐照效应 | 第16-28页 |
| 2.1 SOI器件基本特性 | 第16-23页 |
| 2.1.1 背栅效应 | 第17-19页 |
| 2.1.2 浮体效应 | 第19-21页 |
| 2.1.3 自加热效应 | 第21-22页 |
| 2.1.4 历史效应 | 第22-23页 |
| 2.2 SOI器件理论模型 | 第23-24页 |
| 2.3 SOI抗辐照基本理论 | 第24-27页 |
| 2.3.1 总剂量辐照效应 | 第24-26页 |
| 2.3.2 单粒子辐照效应 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 SOI总剂量效应仿真研究 | 第28-48页 |
| 3.1 器件结构建模 | 第28-35页 |
| 3.1.1 Sentaurus器件建模概述 | 第28-29页 |
| 3.1.2 TSMC 130nm体硅器件建模 | 第29-32页 |
| 3.1.3 SOI器件建模 | 第32-35页 |
| 3.2 器件辐射偏置 | 第35-36页 |
| 3.3 总剂量仿真 | 第36-46页 |
| 3.3.1 体硅器件和SOI器件对比 | 第37-41页 |
| 3.3.2 SOI器件总剂量效应对比 | 第41-43页 |
| 3.3.3 H栅和BTS结构仿真 | 第43-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 SOI单粒子效应仿真研究 | 第48-74页 |
| 4.1 单粒子效应仿真模型 | 第48-50页 |
| 4.2 三维SOI器件单粒子效应仿真 | 第50-64页 |
| 4.2.1 器件仿真模型 | 第50-52页 |
| 4.2.2 仿真结果分析 | 第52-64页 |
| 4.3 SOI器件漏极电压瞬态特性 | 第64-72页 |
| 4.4 本章小节 | 第72-74页 |
| 第五章 总结与展望 | 第74-75页 |
| 5.1 研究结论 | 第74页 |
| 5.2 后续研究展望 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-78页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第78-79页 |
