| 中文摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-31页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 绝缘体上锗(GOI) | 第11-16页 |
| 1.2.1 GOI的主要优势 | 第11-13页 |
| 1.2.2 GOI的主要制备方法 | 第13-16页 |
| 1.3 MOSFET器件 | 第16-21页 |
| 1.3.1 MOSFET的工作原理 | 第17-19页 |
| 1.3.2 MOSFET的重要参数 | 第19-20页 |
| 1.3.3 源/漏肖特基MOSFET器件 | 第20-21页 |
| 1.4 基于MOSFET的纳米生物传感器 | 第21-27页 |
| 1.4.1 纳米技术 | 第21-22页 |
| 1.4.2 纳米材料制备方法 | 第22-23页 |
| 1.4.3 纳米线在生物传感器中的应用 | 第23-27页 |
| 1.5 本论文的主要研究工作 | 第27页 |
| 1.6 参考文献 | 第27-31页 |
| 第二章 改进的锗浓缩技术制备GOI材料及其特性表征 | 第31-55页 |
| 2.1 传统锗浓缩技术 | 第31-33页 |
| 2.2 锗浓缩技术的改进 | 第33-39页 |
| 2.2.1 8英寸体硅上Si Ge材料外延 | 第33-36页 |
| 2.2.2 H离子注入 | 第36-37页 |
| 2.2.3 键合剥离 | 第37-38页 |
| 2.2.4 浓缩过程 | 第38-39页 |
| 2.3 GOI材料表征 | 第39-52页 |
| 2.3.1 GOI的X射线表征 | 第39-41页 |
| 2.3.2 GOI的拉曼散射光谱表征 | 第41-45页 |
| 2.3.3 GOI的TEM表征 | 第45-48页 |
| 2.3.4 GOI的AFM表征 | 第48-50页 |
| 2.3.5 GOI的化学腐蚀位错 | 第50-52页 |
| 2.4 小结 | 第52页 |
| 2.5 参考文献 | 第52-55页 |
| 第三章 GOI Pseudo-MOSFET和肖特基结MOSFET制备与表征 | 第55-77页 |
| 3.1 GOI Pseudo-MOSFET器件制备与表征 | 第55-62页 |
| 3.1.1 Pseudo-MOSFET原理与基本结构 | 第55-58页 |
| 3.1.2 GOI Pseudo-MOSFET的器件制备 | 第58-60页 |
| 3.1.3 GOI Pseudo-MOSFET的电学特性表征和分析 | 第60-62页 |
| 3.2 GOI肖特基源/漏MOSFET器件制备与表征 | 第62-74页 |
| 3.2.1 肖特基源/漏MOSFET原理与基本结构 | 第62-64页 |
| 3.2.2 肖特基源/漏MOSFET的器件制备 | 第64-67页 |
| 3.2.3 肖特基源/漏MOSFET的电学特性表征和分析 | 第67-74页 |
| 3.3 本章小结 | 第74页 |
| 3.4 参考文献 | 第74-77页 |
| 第四章 基于改进的锗浓缩技术制备的纳米线生物传感器 | 第77-104页 |
| 4.1 半导体生物传感器的基本工作原理 | 第77-78页 |
| 4.2 改进的锗浓缩技术制备“核壳”结构的锗纳米线 | 第78-84页 |
| 4.2.1“自上而下”的纳米线制备方法及其优势 | 第78-79页 |
| 4.2.2 锗纳米线制备工艺 | 第79-82页 |
| 4.2.3 锗纳米线的性质表征 | 第82-84页 |
| 4.3 锗纳米线生物传感器的制备 | 第84-87页 |
| 4.4 生物检测 | 第87-101页 |
| 4.4.1 检测原理 | 第87-88页 |
| 4.4.2 检测前预处理 | 第88-94页 |
| 4.4.3 纳米线场效应管生物检测 | 第94-98页 |
| 4.4.4 生物检测参数优化 | 第98-101页 |
| 4.5 本章小结 | 第101-102页 |
| 4.6 参考文献 | 第102-104页 |
| 第五章 总结与展望 | 第104-106页 |
| 5.1 全文总结 | 第104-105页 |
| 5.2 工作展望 | 第105-106页 |
| 攻读学位期间发表论文、申请专利情况 | 第106-108页 |
| 致谢 | 第108页 |
