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溶剂热法制备CuInS2及ZnS薄膜的研究

摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第1章 绪论第12-22页
    1.1 课题背景第12页
    1.2 太阳能电池的工作原理第12-14页
    1.3 太阳电池的分类及发展方向第14-16页
    1.4 CuInS_2薄膜太阳能电池第16-19页
        1.4.1 CuInS_2薄膜太阳电池的研究现状第16页
        1.4.2 CuInS_2薄膜太阳能电池的结构第16-17页
        1.4.3 CuInS_2的晶体结构及性能第17-19页
        1.4.4 ZnS的结构与性能第19页
    1.5 化合物薄膜的制备方法第19-21页
    1.6 论文选题及主要内容第21-22页
        1.6.1 论文选题第21页
        1.6.2 主要研究内容第21-22页
第2章 CuInS_2薄膜在FTO上旳制备及其性能研究第22-48页
    2.1 引言第22页
    2.2 实验部分第22-25页
        2.2.1 实验原料及设备第22-23页
        2.2.2 样品的制备第23-24页
        2.2.3 工艺流程图第24页
        2.2.4 测试表征第24-25页
    2.3 结果与讨论第25-46页
        2.3.1 反应时间对CuInS_2薄膜的影响第25-31页
        2.3.2 硫脲量对CuInS_2薄膜的影响第31-39页
        2.3.3 草酸对薄膜的影响第39-43页
        2.3.4 光电化学检测第43-45页
        2.3.5 溶剂热法制备CuInS_2薄膜形成机理的探索第45-46页
    2.4 本章小结第46-48页
第3章 铜箔原位生长CuInS_2薄膜及性能研究第48-66页
    3.1 引言第48页
    3.2 实验部分第48-49页
        3.2.1 实验原料及设备第48-49页
        3.2.2 样品的制备第49页
        3.2.3 测试与表征第49页
    3.3 结果与讨论第49-64页
        3.3.1 反应时间对CuInS_2薄膜的影响第49-54页
        3.3.2 铟源浓度对CuInS_2薄膜的影响第54-57页
        3.3.3 添加剂PEG对CuInS_2薄膜的影响第57-61页
        3.3.4 CuINS_2薄膜光电性能研究第61-63页
        3.3.5 铜片上原位沉积的机理初步探索第63-64页
    3.4 本章小结第64-66页
第4章 缓冲层硫化锌薄膜的制备与性能研究第66-78页
    4.1 前言第66页
    4.2 实验部分第66-67页
        4.2.1 实验原料和设备第66-67页
        4.2.2 样品的制备第67页
        4.2.3 样品的检测第67页
    4.3 结果与讨论第67-76页
        4.3.1 反应时间的影响第67-72页
        4.3.2 Zn/S摩尔比的影响第72-76页
    4.4 溶剂热制备ZnS薄膜形成机理的初步探索第76-77页
    4.5 本章小结第77-78页
结论与展望第78-80页
参考文献第80-88页
致谢第88-89页
攻读硕士学位期间发表的论文第89页

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