| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第8-19页 |
| 1.1 钙钛矿材料概述 | 第8-13页 |
| 1.1.1 铁电材料 | 第8-9页 |
| 1.1.2 铁电材料研究及其发展 | 第9-11页 |
| 1.1.3 铁电材料的电滞回线 | 第11-12页 |
| 1.1.4 铁电材料的铁电畴 | 第12页 |
| 1.1.5 铁电材料的居里温度 | 第12-13页 |
| 1.1.6 铁电材料的热释电性 | 第13页 |
| 1.2 PZT陶瓷的研究概况 | 第13-15页 |
| 1.2.1 PZT晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.2.2 PZT的相图 | 第15页 |
| 1.3 基于金属的有机-无机杂化卤素钙钛矿材料 | 第15-16页 |
| 1.4 薄膜制备技术概况 | 第16-18页 |
| 1.4.1 化学气相沉积-CVD | 第16页 |
| 1.4.2 物理气相沉积-PVD | 第16-17页 |
| 1.4.3 溶胶-凝胶法-Sol-gel | 第17页 |
| 1.4.4 常见的几种薄膜制备技术对比 | 第17-18页 |
| 1.5 本课题的研究意义和内容 | 第18-19页 |
| 第二章 溶胶-凝胶法制备PZT薄膜 | 第19-25页 |
| 2.1 溶胶-凝胶法制备薄膜的方法 | 第19页 |
| 2.2 前期准备 | 第19-21页 |
| 2.2.1 制备PZT的原料 | 第19-20页 |
| 2.2.2 制备PZT的实验设备 | 第20-21页 |
| 2.2.3 PZT制备流程图 | 第21页 |
| 2.3 制备PZT薄膜 | 第21-24页 |
| 2.3.1 合成PZT溶胶-凝胶 | 第21-23页 |
| 2.3.2 旋涂法制备PZT薄膜 | 第23-24页 |
| 2.3.3 高温处理 | 第24页 |
| 2.4 本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 PZT 95/5 薄膜的测试与分析 | 第25-29页 |
| 3.1 XRD谱图结果分析 | 第25-26页 |
| 3.2 Raman谱分析 | 第26-27页 |
| 3.3 傅里叶变换红外光谱分析 | 第27-28页 |
| 3.4 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 PbI_2和CH_3NH_3PbI_3制备 | 第29-33页 |
| 4.1 有机-无机杂化卤化铅钙钛矿材料的制备方法 | 第29页 |
| 4.2 化学合成CH_3NH_3PbI_3 | 第29-30页 |
| 4.2.1 合成CH_3NH_3I | 第29-30页 |
| 4.2.2 合成CH_3NH_3PbI_3 | 第30页 |
| 4.3 化学气相沉积法制备CH3NH3PI3 | 第30-32页 |
| 4.3.1 制备PbI_2纳米片 | 第31页 |
| 4.3.2 CH_3NH_3PbI_3的转化 | 第31-32页 |
| 4.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第五章 PbI_2和CH_3NH_3PbI_3的表征及测量 | 第33-37页 |
| 5.1 PbI_2和CH_3NH_3PbI_3的光学图像 | 第33-34页 |
| 5.2 SEM图 | 第34-35页 |
| 5.3 XRD衍射谱 | 第35-36页 |
| 5.4 CH_3NH_3PbI_3的PL谱 | 第36页 |
| 5.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第六章 总结 | 第37-39页 |
| 6.1 本文研究总结 | 第37页 |
| 6.2 本文创新之处 | 第37-38页 |
| 6.3 后续工作及设想 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-44页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第44-45页 |
| 致谢 | 第45页 |
