超晶格石墨烯和拓扑材料电子性质的研究
| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第12-35页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 霍尔效应从经典到量子 | 第12-18页 |
| 1.2.1 经典霍尔效应 | 第12-13页 |
| 1.2.2 量子霍尔效应 | 第13-17页 |
| 1.2.3 分数量子霍尔效应 | 第17-18页 |
| 1.3 量子霍尔效应拓扑解释 | 第18-21页 |
| 1.3.1 拓扑变换 | 第18-19页 |
| 1.3.2 霍尔电导和贝里相位 | 第19-21页 |
| 1.4 量子自旋霍尔效应和拓扑绝缘体 | 第21-24页 |
| 1.5 石墨烯超晶格的理论与实验发展 | 第24-26页 |
| 1.6 研究内容与意义 | 第26-29页 |
| 参考文献 | 第29-35页 |
| 第二章 石墨烯超晶格中的颤动效应 | 第35-51页 |
| 2.1 研究背景 | 第35-38页 |
| 2.2 石墨烯中的颤动效应 | 第38-43页 |
| 2.2.1 单层石墨烯中的颤动效应 | 第38-39页 |
| 2.2.2 双层石墨烯中的颤动效应 | 第39-41页 |
| 2.2.3 超晶格石墨烯中的颤动效应 | 第41-43页 |
| 2.3 石墨烯超晶格颤动效应的瞬时性质 | 第43-46页 |
| 2.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 第三章 磁场中的拓扑绝缘体边缘态性质 | 第51-64页 |
| 3.1 研究背景 | 第51-52页 |
| 3.2 理论模型与计算 | 第52-61页 |
| 3.2.1 垂直磁场下量子自旋霍尔效应的边缘态 | 第54-59页 |
| 3.2.2 杂质对量子自旋霍尔效应边缘态的影响 | 第59-61页 |
| 3.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第四章 自旋谱标记的拓扑相变 | 第64-77页 |
| 4.1 研究背景 | 第64-67页 |
| 4.2 理论模型 | 第67-70页 |
| 4.3 自旋谱标记的相变 | 第70-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 第五章 总结和展望 | 第77-80页 |
| 5.1 总结 | 第77-78页 |
| 5.2 展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-82页 |
| 博士期间发表和待发表的论文 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
