| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第17-51页 |
| 1.1 引言 | 第17页 |
| 1.2 红外辐射 | 第17-19页 |
| 1.3 红外探测器概述 | 第19-25页 |
| 1.3.1 热探测器 | 第21-22页 |
| 1.3.2 光子型探测器 | 第22-25页 |
| 1.4 BIB探测器 | 第25-35页 |
| 1.4.1 探测器品质因数 | 第28-29页 |
| 1.4.2 BIB探测器工作原理 | 第29-30页 |
| 1.4.3 BIB探测器器件常用结构 | 第30-32页 |
| 1.4.4 BIB探测器器件物理模型 | 第32-34页 |
| 1.4.5 BIB探测器中的带阶效应 | 第34-35页 |
| 1.5 表面等离激元 | 第35-42页 |
| 1.5.1 金属中的体等离子 | 第35-38页 |
| 1.5.2 SPP耦合方式 | 第38-40页 |
| 1.5.3 SPP耦合的应用 | 第40-42页 |
| 1.6 本论文的研究目的和工作内容 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-51页 |
| 第二章 主要实验设备及原理介绍 | 第51-70页 |
| 2.1. 离子注入 | 第51-57页 |
| 2.1.1 离子注入原理 | 第51页 |
| 2.1.2 离子注入机构造 | 第51-54页 |
| 2.1.3 离子注入的能量损失和射程分布 | 第54-56页 |
| 2.1.4 离子注入的损伤 | 第56-57页 |
| 2.2 快速退火(RTA) | 第57-60页 |
| 2.3 薄膜生长技术 | 第60-63页 |
| 2.3.1 物理气相沉积(PVD) | 第60-62页 |
| 2.3.2 化学气相沉积(CVD) | 第62-63页 |
| 2.4 光刻与刻蚀 | 第63-66页 |
| 2.5 红外傅里叶变换光谱(FTIR)仪 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 第三章 As离子注入硅衬底的电学性能及缺陷研究 | 第70-93页 |
| 3.1 引言 | 第70-71页 |
| 3.2 As离子注入的Si衬底的电学性质 | 第71-79页 |
| 3.2.1 离子注入参数设计与实验 | 第72-74页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第74-79页 |
| 3.2.3 小结 | 第79页 |
| 3.3 As离子注入的S_1衬底退火过程中的缺陷演化 | 第79-88页 |
| 3.3.1 制备与测试 | 第81-82页 |
| 3.3.2 结果与讨论 | 第82-87页 |
| 3.3.3 小结 | 第87-88页 |
| 3.4 结论 | 第88页 |
| 参考文献 | 第88-93页 |
| 第四章 BIB探测器的两种工作模式 | 第93-105页 |
| 4.1 引言 | 第93-94页 |
| 4.2 器件制备与测试 | 第94-96页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第96-102页 |
| 4.4 结论 | 第102页 |
| 参考文献 | 第102-105页 |
| 第五章 BIB探测器中的体等离子效应 | 第105-115页 |
| 5.1 引言 | 第105-106页 |
| 5.2 器件制备与测试 | 第106页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第106-111页 |
| 5.4 结论 | 第111页 |
| 参考文献 | 第111-115页 |
| 第六章 表面等离激元耦合BIB探测器 | 第115-130页 |
| 6.1 引言 | 第115-116页 |
| 6.2 外延型SPP耦合BIB探测器 | 第116-120页 |
| 6.3 离子注入型SPP耦合BIB探测器 | 第120-126页 |
| 6.4 结论 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-130页 |
| 第七章 总结与展望 | 第130-135页 |
| 7.1 论文工作总结 | 第130-132页 |
| 7.2 今后工作展望 | 第132-135页 |
| 博士期间的主要成果 | 第135页 |
| 论文成果 | 第135页 |
| 专利成果 | 第135页 |