32nm CMOS多米诺单元电路NBTI老化分析与防护
| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第14-26页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第14-21页 |
| 1.1.1 集成电路可靠性及老化效应 | 第14-19页 |
| 1.1.2 多米诺电路及其老化 | 第19-21页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第21-24页 |
| 1.2.1 NBTI补偿技术 | 第21-22页 |
| 1.2.2 NBTI缓解技术 | 第22-23页 |
| 1.2.3 多米诺电路研究 | 第23-24页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第24-25页 |
| 1.4 论文的组织 | 第25-26页 |
| 第二章 研究工作基础 | 第26-37页 |
| 2.1 NBTI效应及建模 | 第26-30页 |
| 2.1.1 NBTI效应 | 第26-28页 |
| 2.1.2 NBTI效应的建模 | 第28-30页 |
| 2.2 多米诺电路 | 第30-33页 |
| 2.2.1 动态门 | 第30-32页 |
| 2.2.2 多米诺电路及其性能 | 第32-33页 |
| 2.3 Hspice仿真工具 | 第33-36页 |
| 2.3.1 HSPICE仿真的基本框架 | 第33-34页 |
| 2.3.2 MOSRA模型力量介绍 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 P型多米诺与门NBTI老化分析与防护 | 第37-48页 |
| 3.1 研究动机 | 第37页 |
| 3.2 P型多米诺与门工作原理 | 第37-39页 |
| 3.3 NBTI对P型多米诺与门性能影响 | 第39-44页 |
| 3.4 P型多米诺与门容老化设计 | 第44-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 N型多米诺或门NBTI老化分析与防护 | 第48-56页 |
| 4.1 研究动机 | 第48-49页 |
| 4.2 N型多米诺或门工作原理 | 第49-50页 |
| 4.3 NBTI对N型多米诺或门性能影响 | 第50-53页 |
| 4.4 N型多米诺或门容老化设计及实验结果 | 第53-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结论与展望 | 第56-58页 |
| 5.1 研究工作总结 | 第56-57页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读硕士期间的学术活动及成果情况 | 第62页 |
