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基于一维p型掺杂ZnO纳米材料的光电器件研究

摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第10-34页
    1.1 引言第10-12页
    1.2 ZnO的晶体结构和晶体缺陷第12-15页
    1.3 ZnO的p型掺杂元素第15-16页
    1.4 一维p型掺杂ZnO纳米材料的合成方法及性能分析第16-21页
    1.5 一维ZnO纳米材料在光电器件中的应用第21-32页
    1.6 论文研究的目的与意义第32-34页
第二章 p-ZnO:Cu纳米丛/n-GaN异质结免紫外的红光LED研究第34-53页
    2.1 引言第34-36页
    2.2 实验部分第36-39页
    2.3 实验结果与讨论第39-52页
    2.4 本章小结第52-53页
第三章 ZnO:Cu纳米丛/p-GaN异质结多色光LED研究第53-67页
    3.1 引言第53-54页
    3.2 实验部分第54-55页
    3.3 实验结果与讨论第55-66页
    3.4 本章小结第66-67页
第四章 p-ZnO:Ag/n-GaN异质结白光LED研究第67-79页
    4.1 引言第67-68页
    4.2 实验部分第68-70页
    4.3 实验结果与讨论第70-78页
    4.4 本章小结第78-79页
第五章 单根p-ZnO:Sb/n-ZnO:Al同质结芯壳纳米线自驱动紫外光电探测器研究第79-97页
    5.1 引言第79-83页
    5.2 实验部分第83-85页
    5.3 实验结果与讨论第85-96页
    5.4 本章小结第96-97页
第六章 总结与展望第97-100页
    6.1 总结第97-98页
    6.2 展望第98-100页
致谢第100-102页
参考文献第102-107页
附录Ⅰ 本论文涉及的材料制备及性能表征仪器汇总第107-113页
附录Ⅱ 攻读博士学位期间所获成果第113-114页

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