| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 太赫兹波研究背景 | 第10-14页 |
| 1.1.1 太赫兹技术简介 | 第10-12页 |
| 1.1.2 太赫兹调控技术简介 | 第12-14页 |
| 1.2 石墨烯太赫兹调制器的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 论文研究内容 | 第16-18页 |
| 第二章 石墨烯的转移工艺和表征方法 | 第18-26页 |
| 2.1 石墨烯简介 | 第18页 |
| 2.2 石墨烯薄膜的转移 | 第18-19页 |
| 2.3 石墨烯转移时遇到的问题 | 第19-22页 |
| 2.3.1 关于石墨烯表面不平整问题的研究 | 第20-22页 |
| 2.3.2 关于石墨烯方阻值较高问题的研究 | 第22页 |
| 2.4 石墨烯薄膜的表征 | 第22-24页 |
| 2.4.1 石墨烯的光学表征 | 第22-23页 |
| 2.4.2 石墨烯薄膜的拉曼表征 | 第23-24页 |
| 2.4.3 石墨烯薄膜的方阻分析 | 第24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 背栅石墨烯晶体管的研究 | 第26-46页 |
| 3.1 背栅石墨烯晶体管的制备方案研究 | 第26-27页 |
| 3.2 背栅石墨烯晶体管的制备工艺研究 | 第27-40页 |
| 3.2.1 清洗工艺 | 第27-28页 |
| 3.2.2 热氧化工艺 | 第28-31页 |
| 3.2.3 光刻工艺 | 第31-33页 |
| 3.2.4 刻蚀工艺 | 第33-36页 |
| 3.2.5 热扩散工艺 | 第36-38页 |
| 3.2.6 薄膜制备工艺 | 第38-40页 |
| 3.3 背栅石墨烯晶体管的电学性能测试 | 第40-44页 |
| 3.3.1 栅电极的导电性能测试 | 第41页 |
| 3.3.2 背栅石墨烯晶体管的击穿电压测试 | 第41-42页 |
| 3.3.3 背栅石墨烯晶体管的转移特性 | 第42-44页 |
| 3.3.4 背栅石墨烯晶体管的输出特性 | 第44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 基于背栅石墨烯晶体管和超材料结构的太赫兹波调制器件研究 | 第46-57页 |
| 4.1 超材料结构的仿真设计 | 第46-47页 |
| 4.2 基于石墨烯和超材料结构的太赫兹波调制器件的设计和制备 | 第47-50页 |
| 4.2.1 基于石墨烯和超材料结构的太赫兹波调制器件的设计 | 第47-48页 |
| 4.2.2 基于石墨烯和超材料结构的太赫兹波调制器件的制备 | 第48-50页 |
| 4.3 基于石墨烯和超材料结构的太赫兹波调制器件的性能研究 | 第50-53页 |
| 4.3.1 太赫兹时域光谱(THz-TDS)测试系统 | 第50-51页 |
| 4.3.2 基于石墨烯和超材料结构的太赫兹波调制器件的THz-TDS测试 | 第51-53页 |
| 4.4 高K材料作为介质层的超材料结构太赫兹波调制器件研究 | 第53-56页 |
| 4.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 基于柔性衬底的太赫兹波调制器件研究 | 第57-68页 |
| 5.1 基于PET衬底的多级太赫兹波调制器件研究 | 第57-61页 |
| 5.1.1 基于PET衬底的多级太赫兹波调制器件的制备 | 第57-58页 |
| 5.1.2 基于PET衬底的多级太赫兹波调制器件的性能研究 | 第58-61页 |
| 5.2 基于PDMS衬底的薄层硅太赫兹波调制器件研究 | 第61-66页 |
| 5.2.1 基于PDMS衬底的薄层硅太赫兹波调制器件制备 | 第61-62页 |
| 5.2.2 基于PDMS衬底的薄层硅太赫兹波调制器件的性能研究 | 第62-66页 |
| 5.3 本章小结 | 第66-68页 |
| 第六章 结论与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 结论 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第74-75页 |
