高压VDMOS物理特性及其建模研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 1. 绪论 | 第8-13页 |
| ·VDMOS的应用领域与市场前景 | 第8-9页 |
| ·VDMOS器件的发展过程概况 | 第9-10页 |
| ·国内外发展现状 | 第10-11页 |
| ·本课题的目的与意义 | 第11-13页 |
| 2. 高压VDMOS器件结构与工作原理 | 第13-19页 |
| ·VDMOS器件基本结构 | 第13-14页 |
| ·VDMOS器件工作原理 | 第14-19页 |
| ·转移特性 | 第15页 |
| ·I-V特性 | 第15-17页 |
| ·主要参数 | 第17-19页 |
| 3. 高压VDMOS物理特性 | 第19-44页 |
| ·VDMOS温度特性研究 | 第19-25页 |
| ·温度对VDMOS器件各物理参数的影响 | 第20-22页 |
| ·温度模型 | 第22-23页 |
| ·温度特性数值参数提取 | 第23-25页 |
| ·VDMOS准饱和特性 | 第25-36页 |
| ·准饱和特性的物理机制 | 第25页 |
| ·VDMOS准饱和特性的影响因素 | 第25-29页 |
| ·准饱和效应数值参数提取 | 第29-30页 |
| ·准饱和特性模型的建立 | 第30-36页 |
| ·VDMOS动态特性 | 第36-42页 |
| ·VDMOS器件寄生电容的构成 | 第37页 |
| ·寄生电容与器件结构的关系 | 第37-38页 |
| ·端电压变化对电容大小的影响 | 第38-42页 |
| ·动态特性数值参数提取 | 第42页 |
| ·本章小结 | 第42-44页 |
| 4. 高压VDMOS等效电路模型的建立 | 第44-52页 |
| ·VDMOS等效电路模型建立方法 | 第44-45页 |
| ·总体方案设计 | 第44页 |
| ·VDMOS等效电路模型 | 第44-45页 |
| ·温度特性电路模型的仿真和分析 | 第45-47页 |
| ·仿真结果分析 | 第45-46页 |
| ·模型精度研究 | 第46-47页 |
| ·准饱和特性电路模型的仿真和分析 | 第47-50页 |
| ·仿真结果分析 | 第47-48页 |
| ·模型精度研究 | 第48-50页 |
| ·动态特性电路模型的仿真和分析 | 第50-51页 |
| ·仿真结果分析 | 第50-51页 |
| ·VDMOS的开关特性 | 第51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 5. 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 附录 | 第56-66页 |
| 申请学位期间的研究成果及发表的学术论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
