SONOS存储器保持特性模型及存储层退火工艺研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 1 绪论 | 第9-18页 |
| ·非挥发性半导体存储器 | 第9页 |
| ·SONOS 存储器 | 第9-15页 |
| ·SONOS 存储器研究进展 | 第15-17页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 2 LaTiON 存储层特性及退火工艺的优化 | 第18-24页 |
| ·引言 | 第18页 |
| ·样品制备工艺 | 第18-19页 |
| ·存储特性测量及结果分析 | 第19-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 3 HfLaON 存储层特性及退火工艺的优化 | 第24-34页 |
| ·引言 | 第24页 |
| ·样品制备工艺 | 第24-25页 |
| ·存储特性测量及结果分析 | 第25-29页 |
| ·HfLaON 与 LaTiON 存储层特性比较 | 第29-32页 |
| ·本章小结 | 第32-34页 |
| 4 SONOS 存储器保持特性模型 | 第34-41页 |
| ·引言 | 第34页 |
| ·模型方案 | 第34-37页 |
| ·陷阱空间分布和陷阱能量分布 | 第37-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 5 仿真结果与实验数据分析 | 第41-61页 |
| ·引言 | 第41页 |
| ·模型的验证 | 第41-42页 |
| ·陷阱空间分布对电荷保持特性的影响 | 第42-48页 |
| ·陷阱能量分布对电荷保持特性的影响 | 第48-54页 |
| ·模型与实验 | 第54-60页 |
| ·本章小结 | 第60-61页 |
| 6 结论与展望 | 第61-63页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| ·展望 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第70页 |
