| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·非挥发性存储器概况 | 第9-10页 |
| ·MONOS 存储器 | 第10-13页 |
| ·高 k 材料在 MONOS 存储器中的应用 | 第13-14页 |
| ·本文的结构安排 | 第14-16页 |
| 2 MONOS 器件物理与仿真模型 | 第16-23页 |
| ·阈值电压 | 第16页 |
| ·编程/擦除机理 | 第16-18页 |
| ·电荷泄漏机制 | 第18-19页 |
| ·数据读取 | 第19页 |
| ·Silvaco TCAD 仿真模型介绍 | 第19-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 3 MONOS 存储器的 Silvaco TCAD 仿真模拟 | 第23-37页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·SANOS 存储器栅堆栈结构优化的研究 | 第23-32页 |
| ·高 k 存储层的模拟仿真研究 | 第32-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 4 Gd 金属(氮)氧化物存储层特性研究 | 第37-44页 |
| ·引言 | 第37页 |
| ·样品制备工艺 | 第37-38页 |
| ·存储特性测量与结果分析 | 第38-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 5 GdO(N)存储层退火工艺的优化 | 第44-53页 |
| ·引言 | 第44页 |
| ·样品制备工艺 | 第44-45页 |
| ·存储特性测量与结果分析 | 第45-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 6 总结与展望 | 第53-56页 |
| ·总结 | 第53-54页 |
| ·展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 附录 作者在攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63页 |