| 作者简介 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-23页 |
| ·集成电路的发展 | 第11-13页 |
| ·MOSFET 的发展趋势与面临的挑战 | 第13-15页 |
| ·高 k 栅介质的引入 | 第15-21页 |
| ·论文的主要工作与内容安排 | 第21-23页 |
| 第二章 高 k 栅介质对 MOSFET 电特性的影响 | 第23-35页 |
| ·高 k 栅介质纳米 MOS 器件的边缘电场效应 | 第23-24页 |
| ·MOS 器件特性的模拟仿真 | 第24-27页 |
| ·模拟工具的介绍 | 第24-25页 |
| ·载流子的输运模型 | 第25-26页 |
| ·量子效应模型 | 第26页 |
| ·器件仿真的流程 | 第26-27页 |
| ·FIBL 效应的物理机制 | 第27-33页 |
| ·等效电容理论的提出 | 第27-28页 |
| ·器件的结构参数对于 FIBL 效应的影响 | 第28-31页 |
| ·叠栅结构对于 FIBL 效应的影响 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第三章 高 k 栅介质纳米 MOSFET 关态电流的研究 | 第35-47页 |
| ·关态漏电流简介 | 第35-37页 |
| ·关态漏电流的组成 | 第37-38页 |
| ·关态漏电流各组成部分的特性分析 | 第38-45页 |
| ·栅极漏电流的特性分析 | 第38-39页 |
| ·衬底漏电流的特性分析 | 第39-41页 |
| ·源极漏电流的特性分析 | 第41-43页 |
| ·高 k 栅介质纳米 MOSFET 关态漏电流特性分析 | 第43-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 高 k 栅介质 MOSFET 阈值电压模型 | 第47-67页 |
| ·MOSFET 阈值电压模型基础 | 第47-49页 |
| ·短沟道高 k 栅介质 MOSFET 阈值电压模型 | 第49-57页 |
| ·二维表面势模型的推导 | 第49-51页 |
| ·考虑 LDD 区影响的表面势模型的推导 | 第51-52页 |
| ·阈值电压模型的推导 | 第52-53页 |
| ·结果与分析 | 第53-57页 |
| ·金属栅/高 k 栅介质/SiO_2交叠结构 MOSFET 阈值电压模型 | 第57-66页 |
| ·金属栅/高 k 栅介质/SiO_2/Si 交叠结构 | 第57页 |
| ·金属功函数波动的影响 | 第57-59页 |
| ·高 k 栅介质/SiO_2/Si 交叠结构的影响 | 第59-61页 |
| ·阈值电压模型的推导 | 第61-62页 |
| ·结果与分析 | 第62-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 高 k 栅介质的制备工艺和表征 | 第67-85页 |
| ·高 k 栅介质的制备工艺 | 第67-68页 |
| ·化学气相淀积(CVD) | 第67-68页 |
| ·物理气相淀积(PVD) | 第68页 |
| ·外延层淀积 | 第68页 |
| ·ALD 淀积技术 | 第68-73页 |
| ·ALD 技术的发展 | 第68-69页 |
| ·ALD 技术的原理和特点 | 第69-71页 |
| ·反应前体的要求 | 第71-72页 |
| ·ALD 淀积的工艺窗口 | 第72-73页 |
| ·ALD 淀积高 k 栅介质薄膜 | 第73-77页 |
| ·Si 衬底表面的处理 | 第73页 |
| ·ALD 生长设备 | 第73-74页 |
| ·ALD 生长参数的设置及影响 | 第74-77页 |
| ·高 k 栅薄膜的表征技术 | 第77-83页 |
| ·物理性质的表征 | 第77-81页 |
| ·电学性质的表征 | 第81-83页 |
| ·本章小结 | 第83-85页 |
| 第六章 ALD 淀积 HfAlO 高 k 栅介质的研究 | 第85-105页 |
| ·HfAlO 栅介质简介 | 第85-86页 |
| ·HfAlO 反应原理 | 第86-88页 |
| ·HfAlO 的前驱体 | 第86页 |
| ·ALD 淀积 Al2O_3 | 第86-87页 |
| ·ALD 淀积 HfO_2 | 第87页 |
| ·ALD 淀积 HfAlO | 第87-88页 |
| ·HfAlO 栅介质的淀积 | 第88-98页 |
| ·ALD 淀积 HfAlO 生长参数的设置 | 第88-89页 |
| ·淀积的 HfAlO 样品 | 第89-90页 |
| ·结果和分析 | 第90-98页 |
| ·O_3对于 HfAlO 薄膜的影响 | 第98-103页 |
| ·O_3作为氧化剂生长 HfAlO 栅介质薄膜 | 第98-99页 |
| ·结果和分析 | 第99-103页 |
| ·本章小结 | 第103-105页 |
| 第七章 结束语 | 第105-109页 |
| ·总结 | 第105-106页 |
| ·展望 | 第106-109页 |
| 致谢 | 第109-111页 |
| 参考文献 | 第111-125页 |
| 攻读博士学位期间的研究成果 | 第125-127页 |
