| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-29页 |
| ·课题研究背景 | 第9-15页 |
| ·SRAM 型 FPGA 的应用需求 | 第9-10页 |
| ·空间辐射环境中的总剂量效应 | 第10-13页 |
| ·SRAM 型 FPGA 的总剂量效应 | 第13-15页 |
| ·总剂量效应的研究现状 | 第15-26页 |
| ·效应机理的研究 | 第15-20页 |
| ·测试技术的研究 | 第20-21页 |
| ·建模和仿真技术的研究 | 第21-24页 |
| ·加固方法的研究 | 第24-26页 |
| ·相关研究存在的不足 | 第26页 |
| ·论文的研究内容和研究目标 | 第26-29页 |
| 第2章 深亚微米 CMOS 电路的电路级总剂量效应仿真方法 | 第29-63页 |
| ·总剂量效应对单管独立性的影响 | 第29-42页 |
| ·三维器件模型的校准 | 第29-33页 |
| ·总剂量效应相关参数的校准 | 第33-34页 |
| ·总剂量效应在 STI 氧化物中的作用机制研究 | 第34-39页 |
| ·器件间漏电流的仿真预测 | 第39-42页 |
| ·单一偏置下 MOS 管的损伤模型构建 | 第42-53页 |
| ·辐照偏置的概念 | 第42-43页 |
| ·损伤模型的构建 | 第43-52页 |
| ·不确定性的分析 | 第52-53页 |
| ·考虑实际工作状态的电路仿真方法 | 第53-59页 |
| ·辐照偏置的影响研究 | 第53-55页 |
| ·不同偏置间的等效关系建模 | 第55-58页 |
| ·应用 Verilog-A 语言的编程实现 | 第58-59页 |
| ·模型及方法的校验 | 第59-62页 |
| ·MOS 单管的校验 | 第59-61页 |
| ·基准源电路的校验 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第3章 结合解析分析的电路仿真流程 | 第63-84页 |
| ·电路的总剂量效应失效表征 | 第63-64页 |
| ·模拟电路中的薄弱环节甄别 | 第64-67页 |
| ·数字电路中的敏感节点甄别 | 第67-76页 |
| ·标准 CMOS 结构电路的建模分析 | 第68-72页 |
| ·传输管结构电路的建模分析 | 第72-76页 |
| ·结合解析分析的仿真规划 | 第76-78页 |
| ·深亚微米 SRAM 电路的总剂量效应失效分析 | 第78-83页 |
| ·内部电路模块的失效机理分析 | 第78-80页 |
| ·敏感节点的甄别 | 第80-82页 |
| ·试验验证 | 第82-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第4章 SRAM 型 FPGA 的总剂量效应测试技术研究 | 第84-97页 |
| ·测试方案的设计 | 第84-87页 |
| ·在线测试系统的设计实现 | 第87-88页 |
| ·SRAM 型 FPGA 的总剂量效应测试 | 第88-96页 |
| ·试验情况简介 | 第88-89页 |
| ·在线测试的失效现象分析 | 第89-92页 |
| ·离线测试的失效现象分析 | 第92-96页 |
| ·结果讨论 | 第96页 |
| ·本章小结 | 第96-97页 |
| 第5章 SRAM 型 FPGA 的总剂量效应失效分析 | 第97-109页 |
| ·敏感电路模块的甄别 | 第97-99页 |
| ·针对内部电路的仿真计算 | 第99-106页 |
| ·POR 上电复位电路 | 第99-101页 |
| ·上电相关电路 | 第101-103页 |
| ·全局复位相关电路 | 第103-104页 |
| ·CRC 校验电路 | 第104-105页 |
| ·配置存储器读写电路 | 第105-106页 |
| ·CLB 模块电路 | 第106页 |
| ·结果分析与讨论 | 第106-107页 |
| ·本章小结 | 第107-109页 |
| 第6章 结论与展望 | 第109-112页 |
| ·工作总结 | 第109-110页 |
| ·研究展望 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-119页 |
| 致谢 | 第119-121页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第121-122页 |
