作者简介 | 第1-6页 |
摘要 | 第6-8页 |
ABSTRACT | 第8-12页 |
第一章 绪论 | 第12-33页 |
§1.1 金属腐蚀与防护 | 第12-16页 |
·金属腐蚀的定义 | 第12页 |
·金属腐蚀的分类 | 第12-14页 |
·金属腐蚀的危害性 | 第14-15页 |
·金属腐蚀的防护 | 第15-16页 |
§1.2 硅烷偶联剂 | 第16-27页 |
·硅烷偶联剂的发展历史 | 第17-18页 |
·硅烷偶联剂的种类 | 第18-19页 |
·硅烷偶联剂的结构 | 第19-20页 |
·硅烷偶联剂的作用机理 | 第20-23页 |
·化学键合理论 | 第20-22页 |
·表面能理论 | 第22页 |
·酸碱相互作用理论 | 第22-23页 |
·可逆水解平衡理论 | 第23页 |
·物理吸附理论 | 第23页 |
·硅烷偶联剂的应用现状及发展趋势 | 第23-26页 |
·用于表面改性剂 | 第24页 |
·用作密封剂和黏合促进剂 | 第24-25页 |
·在涂料中的应用 | 第25页 |
·在无机-有机杂化纳米复合材料中的应用 | 第25-26页 |
·硅烷偶联剂的选用原则 | 第26-27页 |
§1.3 硅烷偶联剂在金属表面预处理领域的应用 | 第27-30页 |
·金属表面硅烷偶联化预处理技术的简介 | 第27-28页 |
·硅烷偶联化预处理技术的优点 | 第28页 |
·金属表面硅烷偶联化预处理技术的研究现状 | 第28-30页 |
§1.4 问题的提出及意义 | 第30-31页 |
§1.5 研究内容及拟解决的关键科学问题 | 第31-33页 |
第二章 实验内容及方法 | 第33-39页 |
§2.1 实验材料及其性状 | 第33-34页 |
·实验材料 | 第33页 |
·主要材料介绍 | 第33-34页 |
·硅烷偶联剂KH-550(γ-APS) | 第34页 |
·硅烷偶联剂KH-560(γ-GPS) | 第34页 |
·涂层基体材料 | 第34页 |
§2.2 实验仪器及设备 | 第34-35页 |
§2.3 实验方法 | 第35-37页 |
·实验流程 | 第35-36页 |
·基材的前处理 | 第36页 |
·硅烷溶液的配制 | 第36页 |
·硅烷膜的制备 | 第36-37页 |
§2.4 分析表征 | 第37-39页 |
·反射吸收红外光谱法(RA-IR) | 第37页 |
·电化学交流阻抗测试(EIS) | 第37页 |
·原子力显微镜(AFM) | 第37-39页 |
第三章 γ-GPS硅烷分子在金属表面的吸附成膜动力学 | 第39-52页 |
§3.1 金属表面硅烷分子吸附成膜行为的研究现状 | 第39-40页 |
§3.2 低碳钢表面γ-GPS硅烷分子的吸附成膜行为研究 | 第40-51页 |
·γ-GPS硅烷膜的化学结构 | 第40-43页 |
·γ-GPS硅烷膜层的电化学性能 | 第43-46页 |
·γ-GPS硅烷膜的三维形貌 | 第46-48页 |
·γ-GPS在低碳钢表面的吸附成膜模型 | 第48-51页 |
§3.3 本章小结 | 第51-52页 |
第四章 γ-APS硅烷分子在金属表面的吸附成膜动力学 | 第52-68页 |
§4.1 硅烷水解液pH值对硅烷膜生长行为的影响 | 第52-58页 |
·γ-APS硅烷膜的化学结构 | 第53-54页 |
·γ-APS硅烷膜的电化学性能 | 第54-58页 |
§4.2 吸附界面微区pH值对硅烷膜生长行为的影响 | 第58-65页 |
·γ-APS硅烷膜的电化学性能 | 第59-63页 |
·γ-APS硅烷膜的化学结构 | 第63-65页 |
§4.3 pH值对γ-APS硅烷膜生长行为的影响机制 | 第65-66页 |
§4.4 本章小结 | 第66-68页 |
第五章 结论与展望 | 第68-70页 |
§5.1 结论 | 第68-69页 |
§5.2 展望 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-77页 |