| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·课题背景 | 第9页 |
| ·PN 结的击穿 | 第9-11页 |
| ·PN 结的击穿机理 | 第9-10页 |
| ·PN 结耗尽区的理想电场分布 | 第10-11页 |
| ·曲率效应的产生及其对击穿电压的负面影响 | 第11-13页 |
| ·结终端技术 | 第13-17页 |
| ·场板技术 | 第13-14页 |
| ·场限制环技术 | 第14-15页 |
| ·磨角技术与耗尽区腐蚀技术 | 第15-16页 |
| ·多种结终端技术的融合与发展 | 第16-17页 |
| ·本文的主要工作 | 第17-19页 |
| 第二章 曲率效应对结击穿电压的有效作用 | 第19-35页 |
| ·曲率效应对柱面结击穿电压的有效作用 | 第21-27页 |
| ·均匀掺杂漂移区柱面结 | 第21-25页 |
| ·渐变掺杂漂移区柱面结 | 第25-26页 |
| ·有效柱面曲率小结 | 第26-27页 |
| ·曲率效应对球面结击穿电压的有效作用 | 第27-31页 |
| ·均匀掺杂漂移区球面结 | 第27-29页 |
| ·渐变掺杂漂移区球面结 | 第29-31页 |
| ·有效球面曲率小结 | 第31页 |
| ·有效曲率对任意形貌N~+N~-P~+/P~+P~-N~+结击穿电压的作用 | 第31-35页 |
| 第三章 曲率效应的应用 | 第35-48页 |
| ·曲率效应在PiN 二极管中的应用 | 第35-39页 |
| ·曲率效应在SOI LDMOS 中的应用 | 第39-48页 |
| ·技术背景 | 第39-41页 |
| ·理论分析 | 第41-44页 |
| ·环形阴极SOI LDMOS性能数值分析 | 第44-46页 |
| ·理论模型验证 | 第46-48页 |
| 第四章 有效曲率的作用范围 | 第48-62页 |
| ·有效曲率的引入条件 | 第48-49页 |
| ·柱面曲率对击穿电压的提升程度 | 第49-51页 |
| ·球面曲率对击穿电压的提升程度 | 第51-54页 |
| ·局部曲率的作用距离限制 | 第54-56页 |
| ·临界击穿电场对有效曲率作用效果的影响 | 第56-61页 |
| ·有效曲率的作用总结 | 第61-62页 |
| 第五章结论 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-66页 |
| 附录1 击穿电压与导通电阻的数值计算 | 第66-67页 |
| 附录2 导通电阻电压与电阻的次方关系 | 第67-69页 |
| 附录3 柱面曲率对击穿电压的提升比例η随ξ的变化 | 第69-70页 |
| 附录4 球面曲率对击穿电压的提升比例η随ξ的变化 | 第70-71页 |
| 附录5 引入表面曲率效应的PN 结与平行平面结纵向电场比较 | 第71-74页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |