| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-26页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·ZnO 的特征及应用 | 第9-12页 |
| ·ZnO 的研究历史和现状 | 第12-17页 |
| ·稀磁半导体 | 第17-23页 |
| ·稀磁半导体的定义 | 第17-18页 |
| ·ZnO 基稀磁半导体的研究 | 第18-23页 |
| ·ZnO 薄膜的制备方法 | 第23-24页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第23-24页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第24页 |
| ·金属有机化学气相沉积（MOCVD） | 第24页 |
| ·溶胶凝胶法（Sol-Gel） | 第24页 |
| ·本文的主要研究内容 | 第24-26页 |
| 第二章 实验原理、实验过程与测试技术 | 第26-37页 |
| ·脉冲激光沉积原理 | 第26-32页 |
| ·脉冲激光沉积概述 | 第26-27页 |
| ·PLD 的基本原理 | 第27-32页 |
| ·实验装置 | 第32-33页 |
| ·分析测试方法 | 第33-37页 |
| 第三章 ZnO 薄膜的结构及特性研究 | 第37-55页 |
| ·生长温度对ZnO 薄膜性能的影响 | 第37-42页 |
| ·实验过程 | 第37-38页 |
| ·结果与分析 | 第38-42页 |
| ·氧气压强对ZnO 薄膜性能的影响 | 第42-49页 |
| ·实验过程 | 第43页 |
| ·氧压对ZnO 薄膜性能的影响 | 第43-47页 |
| ·ZnO 薄膜的发光机理 | 第47-49页 |
| ·Si 衬底上生长的ZnO 薄膜 | 第49-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 Al 掺杂 ZnO 薄膜的光学和电学性能研究 | 第55-63页 |
| ·实验过程 | 第55-56页 |
| ·结果与分析 | 第56-62页 |
| ·掺杂浓度对ZnO 薄膜结构特性的影响 | 第56-58页 |
| ·掺杂浓度对ZnO 薄膜光电特性的影响 | 第58-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第五章 Ni，Mn 掺杂 ZnO 基 DMS 的制备与磁性研究 | 第63-75页 |
| ·Zn_(1-x)Ni_xO 薄膜的制备和表征 | 第63-68页 |
| ·实验过程 | 第64页 |
| ·掺杂浓度对Zn_(1-x)Ni_xO薄膜结构及磁性的影响 | 第64-68页 |
| ·Zn_(1-x)Mn_xO 薄膜的制备和表征 | 第68-73页 |
| ·实验过程 | 第69页 |
| ·掺杂浓度对Zn_(1-x)Mn_xO薄膜结构及磁性的影响 | 第69-73页 |
| ·本章小结 | 第73-75页 |
| 第六章 ZnO 薄膜中的二次谐波产生 | 第75-81页 |
| ·实验过程 | 第76页 |
| ·不同ZnO 薄膜中的SHG | 第76-80页 |
| ·不同结晶质量ZnO 薄膜中的SHG | 第76-79页 |
| ·不同掺杂浓度Zn_(1-x)Mn_xO 薄膜的SHG | 第79-80页 |
| ·本章小结 | 第80-81页 |
| 第七章 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第94-95页 |
