| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 主要符号表 | 第13-15页 |
| 缩略词表 | 第15-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-32页 |
| 1．1 SOI技术概述 | 第16-18页 |
| 1．2 SOI材料制备技术的研究现状与发展 | 第18-20页 |
| 1．2．1 SDB技术 | 第18页 |
| 1．2．2 SIMOX技术 | 第18-19页 |
| 1．2．3 Smart Cut技术 | 第19页 |
| 1．2．4 ELTRAN技术 | 第19-20页 |
| 1．3 SOI高压器件技术的研究现状与发展 | 第20-24页 |
| 1．3．1 横向耐压技术 | 第20-22页 |
| 1．3．2 纵向耐压技术 | 第22-24页 |
| 1．3．3 待解决的问题 | 第24页 |
| 1．4 SOI耐压模型的研究现状与发展 | 第24-30页 |
| 1．4．1 一维模型 | 第25-26页 |
| 1．4．2 二维模型 | 第26-28页 |
| 1．4．3 待解决的问题 | 第28-30页 |
| 1．5 本文的主要工作 | 第30-32页 |
| 第二章 SOI S-RESURF高压器件全域耐压模型 | 第32-64页 |
| 2．1 引言 | 第32-33页 |
| 2．2 任意横向掺杂漂移区二维势场分布模型 | 第33-37页 |
| 2．2．1 漂移区完全耗尽情形 | 第34-36页 |
| 2．2．2 漂移区不完全耗尽情形 | 第36-37页 |
| 2．3 均匀掺杂漂移区全域耐压模型 | 第37-43页 |
| 2．3．1 任意反向偏压下的二维电场分布 | 第37-39页 |
| 2．3．2 临界电场与击穿电压的计算 | 第39-42页 |
| 2．3．3 结构参数对击穿电压的影响 | 第42-43页 |
| 2．4 S-RESURF判据 | 第43-47页 |
| 2．4．1 全耗尽判据 | 第44页 |
| 2．4．2 体内击穿判据 | 第44页 |
| 2．4．3 最优表面电场判据 | 第44-45页 |
| 2．4．4 RESURF判据 | 第45-47页 |
| 2．5 阶梯掺杂漂移区SOI高压器件耐压模型 | 第47-57页 |
| 2．5．1 二维电场分布模型 | 第47-51页 |
| 2．5．2 击穿特性研究 | 第51-53页 |
| 2．5．3 杂质分布的优化 | 第53-54页 |
| 2．5．4 最优阶梯数判据 | 第54-57页 |
| 2．6 阶梯漂移区SOI LDMOS的研制 | 第57-62页 |
| 2．6．1 SES法制备SOI材料 | 第57-58页 |
| 2．6．2 器件研制 | 第58-59页 |
| 2．6．3 流片、测试与分析 | 第59-62页 |
| 2．7 小结 | 第62-64页 |
| 第三章 SOI D-RESURF高压器件统一耐压模型 | 第64-82页 |
| 3．1 引言 | 第64-65页 |
| 3．2 均匀掺杂SOI D-RESURF高压器件二维耐压模型 | 第65-71页 |
| 3．2．1 二维电势和电场分布 | 第65-69页 |
| 3．2．2 P-top区对击穿电压的影响 | 第69-71页 |
| 3．3 D-RESURF判据 | 第71-73页 |
| 3．3．1 D-RESURF判据 | 第71页 |
| 3．3．2 RESURF浓度优化区DOR | 第71-73页 |
| 3．4 线性掺杂SOI D-RESURF高压器件二维耐压模型 | 第73-76页 |
| 3．4．1 二维电势和电场分布 | 第73-74页 |
| 3．4．2 器件结构的优化设计 | 第74-76页 |
| 3．5 阶梯掺杂SOI D-RESURF高压器件二维耐压模型 | 第76-80页 |
| 3．5．1 二维电势和电场分布 | 第76-78页 |
| 3．5．2 器件结构的优化设计 | 第78-80页 |
| 3．6 小结 | 第80-82页 |
| 第四章 阶梯埋氧层固定电荷新型SOI高压器件 | 第82-101页 |
| 4．1 INBOLF理论 | 第82-85页 |
| 4．1．1 界面电荷技术 | 第83页 |
| 4．1．2 超薄SOI技术 | 第83-84页 |
| 4．1．3 低介电系数绝缘层技术 | 第84-85页 |
| 4．2 阶梯埋氧层固定电荷SOI高压器件 | 第85-89页 |
| 4．2．1 器件结构 | 第85-86页 |
| 4．2．2 固定界面电荷的引入 | 第86-87页 |
| 4．2．3 材料制备工艺流程 | 第87-89页 |
| 4．3 击穿电压二维解析模型 | 第89-95页 |
| 4．3．1 二维电场分布模型 | 第89-91页 |
| 4．3．2 纵向电场和纵向耐压 | 第91-93页 |
| 4．3．3 横向电场和横向耐压 | 第93-95页 |
| 4．4 器件结构的优化设计 | 第95-100页 |
| 4．4．1 包含界面电荷调制效应的RESURF判据 | 第95-97页 |
| 4．4．2 器件结构参数对击穿电压的影响 | 第97-98页 |
| 4．4．3 线性埋氧层固定电荷结构 | 第98-100页 |
| 4．5 小结 | 第100-101页 |
| 第五章 局域电荷槽结构SOI新型高压器件 | 第101-132页 |
| 5．1 器件结构及其耐压机理 | 第101-106页 |
| 5．1．1 器件结构 | 第101页 |
| 5．1．2 纵向耐压机理 | 第101-104页 |
| 5．1．3 横向耐压机理 | 第104-106页 |
| 5．2 耐压特性分析 | 第106-111页 |
| 5．2．1 基本结构参数的影响 | 第106-108页 |
| 5．2．2 电荷槽形状参数的影响 | 第108-111页 |
| 5．3 双面局域电荷槽结构 | 第111-115页 |
| 5．3．1 器件结构 | 第111页 |
| 5．3．2 耐压机理 | 第111-113页 |
| 5．3．3 对位偏差对击穿电压的影响 | 第113-115页 |
| 5．4 埋氧层刻槽图形的设计 | 第115-122页 |
| 5．4．1 图形选择 | 第115-118页 |
| 5．4．2 同心圆图形分析 | 第118-119页 |
| 5．4．3 六边形图形分析 | 第119-122页 |
| 5．5 非平面埋氧层SOI材料的研制 | 第122-130页 |
| 5．5．1 实验方案 | 第122页 |
| 5．5．2 实验过程 | 第122-128页 |
| 5．5．3 实验结果与分析 | 第128-130页 |
| 5．6 小结 | 第130-132页 |
| 第六章 结束语 | 第132-135页 |
| 6．1 结论 | 第132-133页 |
| 6．2 下一步工作 | 第133-135页 |
| 致谢 | 第135-136页 |
| 参考文献 | 第136-145页 |
| 附录A：阶梯掺杂漂移区分区边界电势的求解 | 第145-147页 |
| 附录B：阶梯埋氧层固定电荷分区边界电势的求解 | 第147-148页 |
| 附录C：科技查新报告 | 第148-156页 |
| 个人简历、在学期间研究成果及发表学术论文 | 第156-158页 |
