| 第一章 绪论 | 第1-15页 |
| ·集成电路设计与制造技术的发展 | 第7-11页 |
| ·集成电路发展概况 | 第7页 |
| ·集成电路设计技术的发展 | 第7-8页 |
| ·集成电路的制造工艺及其发展 | 第8-11页 |
| ·超深亚微米集成电路的可制造性问题 | 第11-13页 |
| ·超深亚微米光刻工艺中的光学特性 | 第11-12页 |
| ·光学邻近效应(Optical Proximity Effect) | 第12页 |
| ·超深亚微米集成电路的可制造性问题 | 第12-13页 |
| ·本文的选题意义及其研究内容 | 第13-15页 |
| ·本文的选题意义 | 第13-14页 |
| ·研究内容 | 第14-15页 |
| 第二章 光刻校正技术理论 | 第15-25页 |
| ·一些基本理论 | 第15-17页 |
| ·光刻系统简介 | 第17页 |
| ·光刻校正技术 | 第17-25页 |
| ·光学邻近校正技术 | 第17-22页 |
| ·移相掩模校正技术 | 第22-23页 |
| ·添加辅助图形与伪图形的校正技术[28] | 第23页 |
| ·光刻校正技术面临的问题 | 第23-25页 |
| 第三章 光学邻近校正的可制造性验证 | 第25-42页 |
| ·光学邻近校正的可制造性问题 | 第25-27页 |
| ·OPC可制造性验证的必要性 | 第25-26页 |
| ·OPC校正后可制造性验证的内容和方法 | 第26-27页 |
| ·验证技术的研究 | 第27-34页 |
| ·光刻系统模型 | 第27-33页 |
| ·验证规则和错误报告 | 第33-34页 |
| ·检查实例 | 第34-42页 |
| ·光刻模型的建立 | 第34-40页 |
| ·检查结果 | 第40-42页 |
| 第四章 交替移相掩模(AltPSM)的可制造性验证 | 第42-59页 |
| ·移相掩模的(PSM)技术 | 第42-46页 |
| ·移相掩模的原理 | 第42-44页 |
| ·AltPSM的相位分配问题 | 第44-46页 |
| ·AltPSM可制造性验证的方法 | 第46-59页 |
| ·版图的相位适应性检查的算法 | 第46-54页 |
| ·亮场掩模AltPSM相位适应性检查方法 | 第54-56页 |
| ·与AltPSM相关的设计规则 | 第56-59页 |
| 第五章 结论与展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 附录1: 测试图 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |