| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 III-V族HBT器件及模型研究现状 | 第16-21页 |
| 1.1.1 III-V族HBT发展与研究现状 | 第16-19页 |
| 1.1.2 HBT器件模型发展与研究现状 | 第19-21页 |
| 1.2 本文研究意义及思路 | 第21-22页 |
| 1.3 本文研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 异质结双极型晶体管基础 | 第24-36页 |
| 2.1 InGaP/GaAs HBT理论基础 | 第24-27页 |
| 2.1.1 BJT结构及原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 HBT结构及原理 | 第25-27页 |
| 2.2 HBT的特性及各种效应 | 第27-35页 |
| 2.2.1 直流特性 | 第27-32页 |
| 2.2.2 交流特性 | 第32-34页 |
| 2.2.3 HBT的各种效应 | 第34-35页 |
| 2.3 本章总结 | 第35-36页 |
| 第三章 InGaP/GaAs HBT小信号及大信号模型 | 第36-62页 |
| 3.1 HBT小信号模型拓扑 | 第36-37页 |
| 3.2 HBT小信号模型参数提取 | 第37-45页 |
| 3.2.1 寄生部分参数提取 | 第37-41页 |
| 3.2.2 本征参数提取 | 第41-45页 |
| 3.3 HBT大信号模型简介 | 第45-55页 |
| 3.3.1 Gummel-Poon模型 | 第46-50页 |
| 3.3.2 VBIC模型 | 第50-54页 |
| 3.3.3 HICUM模型 | 第54-55页 |
| 3.4 AgilentHBT大模型及其参数 | 第55-61页 |
| 3.4.1 Agilent HBT大模型等效电路 | 第55-56页 |
| 3.4.2 Agilent HBT模型概述 | 第56-60页 |
| 3.4.3 Agilent HBT模型参数 | 第60-61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 基于InGaP/GaAs HBT的器件模型建立 | 第62-84页 |
| 4.1 器件测试 | 第62-66页 |
| 4.1.2 测试过程中的去嵌(De-Embedding) | 第63-64页 |
| 4.1.3 直流(DC)部分测试 | 第64-65页 |
| 4.1.4 高频测试 | 第65-66页 |
| 4.2 模型参数调整与拟合 | 第66-78页 |
| 4.2.1 Agilent HBT模型参数修改 | 第66-70页 |
| 4.2.2 模型调试与拟合 | 第70-78页 |
| 4.3 基于powercell的HBT模型验证与修正 | 第78-83页 |
| 4.4 本章小结 | 第83-84页 |
| 第五章 总结与展望 | 第84-86页 |
| 5.1 结论 | 第84页 |
| 5.2 未来工作 | 第84-86页 |
| 参考文献 | 第86-90页 |
| 致谢 | 第90-92页 |
| 作者简介 | 第92-93页 |
